Si+SiO2+TiO2+Pt+Ni+Ti+Au+SiC外延薄膜
西安齊岳生物科技有限公司提供A-Z系列或者國(guó)產(chǎn)的薄膜、單晶、多晶體薄膜，尺寸可定制；基底的薄膜；高；有關(guān)資料歡迎咨詢。同時(shí)提供二維材料；石墨烯、氮化硼、二硫化鉬、CVD生長(zhǎng)的薄膜、晶體、異質(zhì)結(jié)、薄膜（藍(lán)寶石、PET、銅膜、石英、云母、銀膜、SOI基底、Si玻璃基底等基底）等材料。
Si+SiO2+TiO2+Pt+Ni+Ti+Au+SiC外延薄膜
用熱壁CVD法在6H-SiC襯底上生長(zhǎng)了SiCGe三元合金,樣品生長(zhǎng)呈現(xiàn)出的島狀特征.利用SEM,TEM,EDS和PL等分析手段對(duì)薄膜進(jìn)行了性質(zhì)研究.發(fā)現(xiàn)樣品包含兩種特征相,由隨機(jī)分布的球形島和島周圍較平坦的背景區(qū)域組成.EDS結(jié)果表明兩相組分不同:球形島為高Ge區(qū),組分比大于30%;背景區(qū)域Ge含量則低于1%.兩種相的生長(zhǎng)速率也不相同,在生長(zhǎng)時(shí)間相同的情況下,背景區(qū)較薄,且滿布三角形堆垛層錯(cuò).樣品的PL峰位于2.2和2.7eV處.分析認(rèn)為,這兩個(gè)峰分別來自球形島和背景區(qū)域的帶間輻射復(fù)合.
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| Si+SiO2+Ti+Pt <111>（） | 注：可以按照客戶要求加工 |
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| Si+SiO2+Si3N4薄膜 | |
| Si+Al薄膜 | 10x10x0.5mm |
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| Si+Ge薄膜 | |
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溫馨提示：用于科研哦！（zhn2020.05.19）
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