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產(chǎn)地類別	國(guó)產(chǎn)	價(jià)格區(qū)間	面議
應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,生物產(chǎn)業(yè),航空航天,電氣,綜合	響應(yīng)波段	0.9-1.7um

LD-FPA-320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測(cè)器

320x256分辨率銦鎵砷InGaAs探測(cè)器

InGaAs短波焦平面探測(cè)器產(chǎn)品應(yīng)用在近紅外成像和光譜技術(shù)成像上，包括非制冷型（無TEC）和制冷型（TEC）型。產(chǎn)品應(yīng)用穩(wěn)定成熟的工藝，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該產(chǎn)品選用常規(guī)封裝，便于CCD與CMOS相機(jī)集成商的機(jī)械設(shè)備；集成嵌入式TEC進(jìn)一步提高了探測(cè)器的靈敏度，并通過密閉金屬封裝來實(shí)現(xiàn)其高可靠性。

產(chǎn)品型號(hào)

InGaAs面陣探測(cè)器的響應(yīng)波段為900-1700nm/2200nm，目前可提供320x256和640x512陣列。此陣列探測(cè)器利用覆晶裝訂技術(shù)可以使其與讀出電路緊密結(jié)合，同時(shí)采用LCC及Kovar氣密封裝，且表面鍍有抗反射膜。我們可以根據(jù)客戶的需求定制封裝不同的產(chǎn)品。

型號(hào)	FPA-320×256-C	FPA-320×256-K-TE1/TE2	FPA-320×256-K-2.2-TE2
材料	InGaAs	InGaAs	InGaAs
響應(yīng)波段	0.9um-1.7um	0.9um-1.7um	1.2um-2.2um
圖像分辨率	320×256	320×256	320×256
像元尺寸	30um	30um	30um
靶面尺寸	9.6mm×7.68mm	9.6mm×7.68mm	9.6mm×7.68mm
封裝	44-pin CLCC	28-pin MDIP	28-pin MDIP
重量	1.6g	24.6g/25.6g	24.6g
有效像元率	>99.5%	>99%	>97%
暗電流	<0.4pA	≤0.4pA	≤10pA
量子效率	≥70%	≥70%	≥70%
填充率	＞99%	＞99%	＞99%
串?dāng)_	＜1%	＜1%	/
探測(cè)率	≥5×1012J	≥5×1012J (TE1) ≥7.5×1012J(TE2)	≥1×1012J
響應(yīng)非均勻性	≤10%	≤10%	≤40%
非線性(最大偏差)	≤2%	≤2%	≤2%
最大像素率	10MHz	10MHz	10MHz
增益	High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e-	High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e-	High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e-
滿阱容量	High:170Ke- Low:3.5Me-	High:170Ke- Low:3.5Me-	High:170Ke- Low:3.5Me-
TEC 制冷	無	TE1/TE2	TE1/TE2
工作溫度	-20℃—85℃	-20℃—85℃	-20℃—85℃
儲(chǔ)存溫度	-40℃—85℃	-40℃—85℃	-40℃—85℃
功耗	175mw	175mw**	175mw**