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當(dāng)前位置：> 供求商機(jī)> LD-FPA-320×256-C-CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片
CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，此二維銦鉀砷面陣探測(cè)器的響應(yīng)波段為900-1700nm，目前可做到320x256和640x512陣列。此陣列探測(cè)器利用覆晶裝訂技術(shù)可以使其與讀出電路緊密結(jié)合，同時(shí)采用LCC及Kovar氣密封裝，且表面鍍有抗反射膜。同時(shí)，我們可以根據(jù)客戶的需求定制封裝不同的產(chǎn)品。
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1.1、FPA-320x256InGaAs Imager（0.9um-1.7um）
CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，此InGaAs焦平面陣列是應(yīng)用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術(shù)，尤其是在非制冷條件下的優(yōu)化解決方案，CLPT的核心技術(shù)是實(shí)現(xiàn)優(yōu)良品質(zhì)的InGaAs焦平面陣列，CLCC封裝也便于CCD與CMOS數(shù)碼相機(jī)制造商的機(jī)械設(shè)計(jì)。CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片
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zui大額定值
參數(shù) | 單位 | zui小值 | zui大值 |
工作溫度范圍 | ℃ | -20 | 85 |
儲(chǔ)存溫度范圍 | ℃ | -40 | 85 |
功耗 | mW | --- | 175 |
FPA特性
參數(shù) | 典型值 | 條件 |
光譜響應(yīng) | 0.9um-1.7um | --- |
zui小像素的可操作性 | >99% | 318*254內(nèi)的中心地區(qū) |
暗電流 | <0.4PA | 25℃,0.1V 探測(cè)器偏壓 |
量子效率 | >70% | λ=1.0um-1.6um |
探測(cè)率 | ≥5*1011Jones | 25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益 |
響應(yīng)非均勻性 | <10% | 飽和度低于50%,25℃ |
非線性(zui大偏差) | <2% | 超過(guò)10%-90%滿阱容量 |
zui大像素率 | 10MHz | --- |
增益 | High:14.38uV/e- Low:0.77 uV/e- | 25℃ |
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