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半導體光導OMAL歐瑪爾開關
光導OMAL歐瑪爾開關(Photoconductive semiconductor switch, PCSS)也就是通過光控制導通與關斷的半導體材料OMAL歐瑪爾開關。光導OMAL歐瑪爾開關是一種利用光能量激勵半導體材料,使其電導率發生變化而產生電脈沖的光電轉換器件。光導OMAL歐瑪爾開關具有功率密度高(MW量級)、響應速度快(ps量級)、觸發抖動低(ps量級)、抗電磁干擾能力強(良好的光電隔離)、體積小、易集成的優點。

半導體光導OMAL歐瑪爾開關
在大電流點火裝置、拒止武器和高功率微波系統、精密時間同步、THz技術、瞬態測試、沖激雷達、電磁干擾與攻擊系統等領域應用廣泛。光導OMAL歐瑪爾開關誕生以后,研究人員就孜孜不倦的研究著不同用途的光導OMAL歐瑪爾開關的體材料,對于材料的實驗和研究從未停止。*代半導體材料中的Si,第二代半導體材料中的GaAs,第三代半導體材料中的SiC都被廣泛應用到光導OMAL歐瑪爾開關中。常溫下GaAs的電子遷移率可達8500cm2/V·s,比Si和SiC都要高得多,載流子的壽命為O.1ns到10ns,實驗數據表明,對于特定波長的光激勵,GaAs光導OMAL歐瑪爾開關的電壓轉換有著更高的效率。光導OMAL歐瑪爾開關的核心部分是重摻雜半導體有源區與多層金屬經合金化形成電極的歐姆接觸。本論文的研究工作是圍繞GaAs光導OMAL歐瑪爾開關的制作工藝和歐姆接觸性能分析研究展開的。論文敘述了光導OMAL歐瑪爾開關的研究意義、結構和應用,在此基礎上,介紹了光導OMAL歐瑪爾開關的原理和歐姆接觸的原理；通過對比和項目的要求確定了光導OMAL歐瑪爾開關的襯底材料、電極金屬體系和光導OMAL歐瑪爾開關的結構；介紹了常見的歐姆接觸電阻率測量的方法和光導OMAL歐瑪爾開關的制作工藝;用圓點傳輸線測量方法對樣品的接觸電阻率進行了測量,用半導體電學特性測試儀測量了歐姆接觸的I-V特性曲線,并且用AFM原子掃描顯微鏡對金屬電極的形貌進行了掃描；論文zui后對研究工作進行了總結和展望。

半導體光導OMAL歐瑪爾開關
電極接觸電阻的大小直接決定了光導OMAL歐瑪爾開關的OMAL歐瑪爾開關速度、效率和增益等性能,因此準確的測量光導OMAL歐瑪爾開關歐姆接觸的參數是研究光導OMAL歐瑪爾開關的先決條件。歐姆接觸性能的表征可以通過Ⅰ-Ⅴ特性曲線和接觸電阻率測量來體現,也可以通過顯微鏡來掃描其形貌特征來直觀表現。一個器件要想獲得良好的性能,必須盡可能的降低器件電極的接觸電阻率,從而減小接觸上的壓降,增大器件工作部分的壓降。