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真空感應(yīng)熔煉爐的特點(diǎn)及適用范圍
閱讀：736 發(fā)布時(shí)間：2020-9-14
1800℃真空感應(yīng)熔煉爐的特點(diǎn)和功能：
1、在熔煉過(guò)程中可在不破壞熔煉室真空情況下進(jìn)行測(cè)溫、取樣、搗料、觀察、補(bǔ)加料和合金成份調(diào)整等。與此同時(shí)可通過(guò)充氣閥充入惰性氣體以控制爐內(nèi)的壓力和氣氛。澆鑄可澆一錠和多錠及裝入預(yù)熱保溫錠模、水冷錠模、砂型箱等以及進(jìn)行澆鑄。
2、加熱電源可采用IGBT中頻電源，IGBT中頻電源是采用串聯(lián)諧振式的中頻感應(yīng)電源，逆變器件為新型IGBT模塊，其主要優(yōu)點(diǎn)有以下幾下方面：
①逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能10%左右。
②功率因數(shù)高，功率因數(shù)始終大于0.9，無(wú)功損耗小，此部分比傳統(tǒng)可控硅中頻電源節(jié)能3%~5%。
③高次諧波干擾小： IGBT晶體管中頻電源的整流部分采用半可控整流方式，直流電壓始終工作在高，不調(diào)導(dǎo)通角，所以它不會(huì)產(chǎn)生高次諧波，不會(huì)污染電網(wǎng)，不會(huì)干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備運(yùn)行。
④可恒功率輸出：可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功，而IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功，不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個(gè)熔煉過(guò)程中保持恒功率輸出，尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時(shí)，更顯示它的*性，熔化速度快，減少爐料元素?zé)龘p少，降低成本。
1800℃真空感應(yīng)熔煉爐主要用途和適用范圍：
由于它能嚴(yán)格控制合金成份，同時(shí)具有電磁攪拌和高真空脫氣的能力，可在高真空條件下或在充保護(hù)氣氛情況下進(jìn)行的熔煉和澆鑄鎳基、鐵基、鈷基及其它高級(jí)精密合金或高純度金屬。若選用石墨坩堝，則可通過(guò)間接加熱的方法熔化低電阻率的金屬及其合金，例如：金、銀、銅、鋁、青銅等。
1、在熔煉過(guò)程中可在不破壞熔煉室真空情況下進(jìn)行測(cè)溫、取樣、搗料、觀察、補(bǔ)加料和合金成份調(diào)整等。與此同時(shí)可通過(guò)充氣閥充入惰性氣體以控制爐內(nèi)的壓力和氣氛。澆鑄可澆一錠和多錠及裝入預(yù)熱保溫錠模、水冷錠模、砂型箱等以及進(jìn)行澆鑄。
2、加熱電源可采用IGBT中頻電源，IGBT中頻電源是采用串聯(lián)諧振式的中頻感應(yīng)電源，逆變器件為新型IGBT模塊，其主要優(yōu)點(diǎn)有以下幾下方面：
①逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能10%左右。
②功率因數(shù)高，功率因數(shù)始終大于0.9，無(wú)功損耗小，此部分比傳統(tǒng)可控硅中頻電源節(jié)能3%~5%。
③高次諧波干擾小： IGBT晶體管中頻電源的整流部分采用半可控整流方式，直流電壓始終工作在高，不調(diào)導(dǎo)通角，所以它不會(huì)產(chǎn)生高次諧波，不會(huì)污染電網(wǎng)，不會(huì)干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備運(yùn)行。
④可恒功率輸出：可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功，而IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功，不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個(gè)熔煉過(guò)程中保持恒功率輸出，尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時(shí)，更顯示它的*性，熔化速度快，減少爐料元素?zé)龘p少，降低成本。
1800℃真空感應(yīng)熔煉爐主要用途和適用范圍：
由于它能嚴(yán)格控制合金成份，同時(shí)具有電磁攪拌和高真空脫氣的能力，可在高真空條件下或在充保護(hù)氣氛情況下進(jìn)行的熔煉和澆鑄鎳基、鐵基、鈷基及其它高級(jí)精密合金或高純度金屬。若選用石墨坩堝，則可通過(guò)間接加熱的方法熔化低電阻率的金屬及其合金，例如：金、銀、銅、鋁、青銅等。