一、概述:
半導體靜態參數測量系統，集多種測量功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如 MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導體等） 的靜態參數，具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精準測量、納安級漏電流測量能力等特點。支持高壓模式下功率器件結電容測試， 如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
二、系統組成
半導體靜態參數測量系統，主要包括測試主機、測 試線、測試夾具、電腦、上位機軟件，以及相關測試配件等構成。整套系統采??鈦科?主開發的測試主機，內置多種規格電壓、電流、 電容測量單元模塊。結合專?上位機測試軟件，可根據測試項?需要，設置不同的電壓、電流等參數，以滿?不同測試需求。測試數據可保 存與導出，并可?成I‐V以及C‐V特性曲線。此外，測試主機可與探針臺 搭配使?，實現晶圓級芯?測試。
三、半導體靜態參數測量系統的主要應用
1、功率半導體的來料檢驗
2、功率半導體的靜態參數驗證或標定
3、實驗室的器件評估
4、功率半導體的?產檢驗和篩選
5、半導體器件的?藝改進評估
6、半導體器件的失效分析
7、半導體器件的教育科研
四、硬件優勢
功率器件靜態參數測試系統，配置有多種測量單元模塊， 模塊化的設計測試?法靈活，能夠極??便?戶添加或升級測量模塊， 適應測量功率器件不斷變化的需求。
1、高電壓達8000V （擴展至10kV）
2、大電流達6000A （多模塊并聯）
3、納安級漏電流uΩ級導通電阻
4、高精度測量0.1%
5、模塊化配置可添加或升級測量單元
6、測試效率高、自動切換、一鍵測試
7、兼容多種封裝根據測試需求定制夾具
五、測試夾具
針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體，IGBT、SiC、MOS、 GaN等產品，力鈦科提供整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產品的測試，后期可根據客戶需求來定制化相對應封裝。
六、軟件特點：
1、測試主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%
2、柵極‐發射極，支持30V/10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至皮安級漏電流
3、集電極‐發射極，支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs， 且具備電壓高速同步采樣功能
4、支持8000V電壓輸出，且自帶漏電流測量功能
5、電容特性測試包括輸入電容、輸出電容、以及反向傳輸電容測試，頻率支持1MHz
七、軟件界面
八、測試器件類型及項目
九、測試原理
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