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深圳市秋山貿易有限公司
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電阻測量的定義-napson手持式電阻測量儀EC-80P
2020-11-23 閱讀(1589)
通常，電阻（電阻）用于評估物質或材料的電導率（導電性）。我認為下面的Ω（Ohm）是電阻的評估標準（許多人在“歐姆定律”中都記得它）。
電阻_（電阻）=Ω[讀數：歐姆]
⇒表示電流難易度的單位
R = V / I * V =電壓，I =電流
由數字萬用表（絕緣電阻表）測量的絕緣電阻也通常以Ω單位表示。
電阻單位還根據物質或材料的形狀而適當地使用，并且根據測量目標而主要使用，因為存在針對每個行業的工業標準（例如，JIS）的電阻單位。關于電阻的表示法是不同的。
除了電阻[Ω]，我們的電阻測量系統還支持以下兩種類型的電阻測量單位：電阻[Ωcm]和薄層電阻[Ω/□]。
電阻=Ωcm[讀數：歐姆厘米]
*也稱為比電阻。
⇒物質的“體積電阻值”
它主要用于表示較厚物體的電阻，例如硅片，大塊以及導電橡膠和塑料。
電阻：R的值由以下等式表示，其中ρ是電阻，L是導體的長度，A是導體的截面積。
R =ρ×[L / A]
因此，電阻值ρ由下式表示。
ρ= V / I×[A / L]
*單位為Ωcm時，值為1 cm x 1 cm x 1 cm的體積。根據測量目標的不同，它可能以Ωm（歐姆表）表示。
薄層電阻=Ω/□[讀數：歐姆標準平方]
*也稱為比電阻。
⇒物質的“表面電阻值”
它主要用于表示片狀材料（例如薄膜和膜狀材料）的電阻。
一般而言，當表示三維電導率時，電阻由下式表示。
R =ρ×L / A ＝ L / W×ρs
假設樣品的長度：L和寬度：W是均勻的，則電阻：R和薄層電阻：ρs相等。
薄層電阻：ρs也可以表示為通過將電阻：ρ除以厚度：t得到的值。
日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
只需觸摸手持式探頭即可測量電阻。
在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
使用JOG撥盤輕松設置測量條件
連接到連接器的可替換電阻測量探頭可支持多種電阻
（電阻探頭：多可以使用2 + PN判斷探頭）
日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
測量規格
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯系）
測量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）
測量規格
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯系）
測量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）
日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
