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詳細(xì)摘要： DT-9926/9927/9927T防水型全保護(hù)數(shù)字萬用表配件測(cè)試探頭,9V電池,K型溫度探針（9927/9927T）,手提箱,包裝盒

詳細(xì)摘要： CEM DT-9928/9928T防水全保護(hù)數(shù)字萬用表配件:測(cè)試探頭,9V電池,K型溫度探針,手提箱,包裝盒

詳細(xì)摘要： 華盛昌CEM DT-9989/99S彩屏數(shù)字示波萬用表集示波器、萬用表、藍(lán)牙傳輸、Meterbox和彩屏顯示于一體，提高了工廠生產(chǎn)效率的新診斷功能，是工業(yè)用記錄...

詳細(xì)摘要： 德國INCUDRIVE S小型滾瓶培養(yǎng)箱廣泛應(yīng)用于高校、科研院所、疾控中心的微生物和環(huán)境實(shí)驗(yàn)室以及食品、藥品、飲料企業(yè)等的品控和研發(fā)實(shí)驗(yàn)室。

詳細(xì)摘要： 德國Schuett厭氧罐德國Schuett-Biotec公司其產(chǎn)品涉及微生物學(xué)、細(xì)胞生物學(xué)、生物化學(xué)等。

詳細(xì)摘要： FR-Portable 便攜式膜厚儀高精準(zhǔn)，USB電源驅(qū)動(dòng)便攜式，滿足用戶實(shí)時(shí)需要

詳細(xì)摘要： 掃描型膜厚測(cè)試儀全自動(dòng)，超快速，高精準(zhǔn)等膜厚表征繪制和膜厚涂覆的光學(xué)特性，利用光學(xué)反射方法來測(cè)量和自動(dòng)分析薄膜涂層的表征。

詳細(xì)摘要： 希臘thetametrisis基礎(chǔ)型膜厚儀廣泛范圍的不同應(yīng)用，如標(biāo)準(zhǔn)吸光度/透射率、反射測(cè)量、以及在不同溫度和環(huán)境下（甚至是液體中）的薄膜表征的測(cè)定。

詳細(xì)摘要： 光刻機(jī)NX-B200/1000/2000/2500/2600納米壓印光刻機(jī)、 簡(jiǎn)稱NIL　、NIL光刻機(jī)、軟紫外納米壓印，熱壓印,紫外納米壓印步進(jìn)閃光壓印,

詳細(xì)摘要： POLOS系列沖洗甩干機(jī)濕法刻蝕又稱為濕化學(xué)刻蝕法。它主要是借助刻蝕劑與待刻材料之間的化學(xué)反應(yīng)將待刻膜層溶解，以達(dá)到刻蝕的目的。濕法刻蝕一般被用于工藝流程前面的...

詳細(xì)摘要： 濕法刻蝕機(jī)EDC-650-8/EDC-650-15/EDC-650-X濕法刻蝕又稱為濕化學(xué)刻蝕法。它主要是借助刻蝕劑與待刻材料之間的化學(xué)反應(yīng)將待刻膜層溶解，以達(dá)...

詳細(xì)摘要： CEM DT-980/980A/980H/980L-8紅外熱像儀設(shè)計(jì)新穎、體積小巧、結(jié)實(shí)耐用、性價(jià)比高。

詳細(xì)摘要： 美國吉時(shí)利6221型 交直流電源是非常易于使用噪聲極低的精密微電流源。提供了更高的準(zhǔn)確度、穩(wěn)定度、可靠性、堅(jiān)固耐用性。

詳細(xì)摘要： 美國吉時(shí)利2182A型 納伏表用于需要穩(wěn)定、低噪聲電壓和溫度測(cè)量的應(yīng)用。是可靠地、重復(fù)地表征低阻材料和器件特性的Z佳儀表，并且比其他的低電壓測(cè)量方案能提供更快的...

詳細(xì)摘要： 美國吉時(shí)利6517B型 靜電計(jì)：吉時(shí)利5½位顯示的6517B提供的精度和靈敏度指標(biāo)是高于其他同類型儀表。

詳細(xì)摘要： 美國吉時(shí)利6514靜電計(jì)具有靈活的接口性能，其電流靈敏度、電荷測(cè)量能力、分辨率和速度都優(yōu)于我們之前的靜電計(jì)。

詳細(xì)摘要： 美國吉時(shí)利3706型 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)能夠在多功能測(cè)試系統(tǒng)中勝任嚴(yán)苛的應(yīng)用，也能夠在獨(dú)立的數(shù)據(jù)采集和測(cè)量應(yīng)用中提供所需的靈活性。

詳細(xì)摘要： 美國吉時(shí)利2000/2002型 數(shù)字多用表為用戶提供了一款高速、精確和高度穩(wěn)定的儀器，并且易學(xué)易用，價(jià)格實(shí)惠。

詳細(xì)摘要： 美國吉時(shí)利2010/2001/2100/數(shù)字多用表非常適合精密傳感器、變送器、A/D和D/A轉(zhuǎn)換器、整流器、基準(zhǔn)源、連接頭、開關(guān)和繼電器等產(chǎn)品的測(cè)試。

詳細(xì)摘要： 美國吉時(shí)利2657A型 高功率數(shù)字源表主要用于對(duì)高功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行I-V參數(shù)測(cè)試和特性分析。