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產品簡介
詳細介紹
芯片半導體高低溫沖擊試驗箱：分高溫區、低溫區兩部分，測試樣品放置在其中一個工作室內，吊籃通過傳動方式實現樣品在高低溫室的切換，完成冷熱溫度沖擊測試。*之蓄熱、蓄冷結構確保試驗箱恒溫性能好。
芯片半導體高低溫沖擊試驗箱
GB/T 2423.1-2008 試驗A：低溫試驗方法、GB/T 2423.2-2008 試驗B：高溫試驗方法、GB/T2423.22-2002 試驗N：溫度變化試驗方法 試驗Na
GJB 150.5A-2009 設備實驗室環境試驗方法 第5部分:溫度沖擊試驗
GJB 360A-1996 溫度沖擊試驗、IEC 68-2-14 試驗方法 N ：溫度變化
GJB367.2-2001 通信設備通用規范 溫度沖擊試驗
設備主要技術參數 | |
1.試驗區域容積 | 80L |
2工作室尺寸 | 400×500×400mm（深×寬×高) |
3外箱尺寸 | 1607×1487×1900mm（深×寬×高) |
4 溫度沖擊范圍 | 高溫：（+60～+150）℃/低溫：（-40～-10）℃ |
5試驗原理 | 分高溫區、低溫區兩部分，測試樣品放置在其中一個工作室內，吊籃通過傳動方式實現樣品在高低溫室的切換，完成冷熱溫度沖擊測試。*之蓄熱、蓄冷結構確保試驗箱恒溫性能良好。 |
6 高溫區預熱溫度 | +60℃→+200℃ |
升溫 +60℃ → 150℃≤45min 注：降溫時間為高溫室單獨運轉時的性能 | |
7 低溫區預冷溫度 | -70℃～-10℃ |
降溫 +20℃ → -70℃≤70min 注：降溫時間為低溫室單獨運轉時的性能 | |
8 溫度波動度 | ±0.5 ℃ |
9 溫度均勻度 | ±2.0 ℃ |
10溫度穩定時間 | ≤3min |
11 提籃上升時間 | ≤5sec |
12 升 溫 速 率 | 高溫曝露:+85℃/30min→低溫曝露:-40℃/30min |
13 電源規格及功率 | AC 380V±10% 頻率50HZ 功率：18.0KW |
14 噪音 | 68db |
15 控制儀表 | 中國臺灣威碩品牌原裝7"寸大屏幕觸摸屏控制儀表 |
16制冷壓縮機 | 進口法國泰康或德國谷輪低溫型活塞高效壓縮機 |