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電路中，不管晶體管是工作在直流工作狀態還是交流工作狀態，正確選擇晶體管的直流參數是很重要的。也就是說，應根據工作環境中直流電路的工作狀態要求，對晶體管進行基礎的選擇，確定晶體管的工作電壓，工作電流和功耗，來計算電路中應用的晶體管直流工作電壓(Vcc)、大工作電流(ICM)和功耗(PCM)等。
在交流工作狀態下，晶體管的交流工作狀態很重要，比如輸出功率(PL)、交流增益(GP)、效率(η)、特征頻率(fT)、極間電容(CCE和CBE)等。
對交流參數，我們一般查看晶體管的輸出功率、交流增益和特征頻率就可以了。特征頻率決定晶體管是否滿足電路工作頻率要求，交流增益和輸出功率決定了電路的放大級數和輸入功率。在交流放大電路中，同種類型的晶體管，我們更愿意選用基極到地阻抗小的器件，因為同樣的輸入功率、產生同樣的輸出功率，輸入阻抗越小，晶體管工作越穩定。 在某些情況下，直流參數和交流參數是不能分開的。如我們常說的擊穿電壓VEBO和VCEO。一般情況下，擊穿電壓VEBO指標大于等于4V。當晶體管處于*導通狀態，晶體管基極和發射極之間的電壓大不會超過0.7V(硅晶體管)，也就是說，在直流工作狀態下，擊穿電壓遠遠不足4V的電壓。但對交流信號電路，特別是輸入功率大、輸入阻抗較高的晶體管，電路在非穩定狀態時，基極的交流信號幅度有時會大于4V。在一次偶然的實驗中我們發現，晶體管在調試和低溫試驗時，各種指標均正常，但在長時間高溫工作時，晶體管基極和發射極擊穿。經過反復的檢查發現，所有器件均合格，電路調試狀態正常；一不同的是，電路反射功率較大，使晶體管的基極信號幅度長時間處于VEBO擊穿電壓的臨界狀態，造成晶體管的基極發射極擊穿。所以，應該選擇VEBO偏大的晶體管。
晶體管的增益有直流放大倍數(HFE)和交流增益(GP)兩種。一般情況下，直流放大倍數越大，電路直流工作的電流就越大，一般根據電路實際需要選擇不同的直流放大倍數。而交流增益和直流放大倍數之間沒有任何關系，交流增益一般只給出范圍，如≥12dB，而沒有給出具體的大增益，同時晶體管手冊只給出大工作頻率，不會給出工作頻率范圍內的頻響。交流增益不會因為直流放大倍數的改變而變化(很小的變化可以忽略)，有些晶體管直流的增益變大時交流增益反而變小。
對于晶體管的直流放大倍數，可以通過簡單的測試方法便可得到，但對于交流增益，必須通過專門的電路進行測試才能知道。一般的晶體管手冊中，給出交流增益的同時，會給出交流增益測試電路圖。根據功率的不同，晶體管的增益范圍不同，同種功率的晶體管，增益范圍越窄，晶體管芯片制作的工藝*性越好；晶體管在工作頻帶內交流增益變化越小，晶體管的交流參數越穩定，晶體管的*性越好，電路的互換性越好。
通過晶體管的輸出特征曲線圖，不僅可以計算出晶體管的直流放大倍數，同時也可以測出晶體管的飽和壓降VCES，這也是一個非常重要的參數。我們對許多大功率晶體管測試時發現，好的晶體管VCES仍小于等于1V，但差的晶體管VCES遠遠大于1V，有的竟然在2.5V～3V之間(見左圖)。
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通過對比我們發現好的晶體管曲線分布均勻，曲線之間相互平行，基極的電流穩定后集電極電流基本不變，飽和壓降VCES小(見左圖中紅線對應的VCE電壓，小于等于1V)；而差的晶體管曲線分布不均勻，曲線之間相互不平行，基極電流穩定后集電極電流變化很大，飽和壓降VCES(大約2.8V)。根據實際應用得知，曲線分布不均勻、VCES大的晶體管線性差、功耗大、輸出指標不好。應用這種晶體管進行設計，電路是很難達到高指標的。
MOS場效應管被靜電擊穿的幾個原因
我們在實際電子產品設計調試過程中，經常會有這樣的疑問，MOS場效應管為什么會被靜電擊穿？靜電擊穿是指擊穿MOS場效應管G極的那層絕緣層嗎？擊穿就一定短路了嗎？JFET場效應管靜電擊穿又是怎么回事？
其實MOS場效應管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。
靜電擊穿有兩種方式；
一是電壓型，即柵極的薄氧化層發生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；
二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。
現在的mos場效應管沒有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大，感應不出高壓。若是碰上3DO型的mos管冬天不帶防靜電環試試，基本上摸一個掛一個。
與干燥的北方不同，南方潮濕不易產生靜電。還有就是現在大多數CMO
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