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　　介紹：
 

　　在傳統的高速旋涂無法提供均勻覆蓋深孔形貌或高縱橫比的應用中，超聲波光刻膠噴涂系統用均勻的光刻膠薄膜涂覆半導體成為了完整的解決方案。與傳統的旋涂相比，采用超聲波噴涂的光致抗蝕劑涂層在沉積更均勻的涂層方面具有優勢，特別是在高深寬比溝槽和v形槽結構中沿側壁頂部沉積時，離心旋涂無法沉積均勻的涂層沿著側壁形成膜，而沒有過多的光致抗蝕劑沉積在腔體的底部。事實證明，使用超聲技術進行直接噴涂是將光刻膠沉積到3D微結構上的可靠且有效的方法，從而減少了因金屬過度暴露于抗蝕劑涂層而導致的設備故障。