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利用 ICP-MS 對太陽能(光伏)級硅塊進行超痕量分析

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本文介紹了一種使用 Agilent 7500cs ICP-MS 測定光伏級硅中存在的超痕量 元素雜質的新型定量方法。硼(揮發性元素)和磷(受 Si 基干擾)對該行 業尤其重要;因此,為了利用 ICP-MS 分析這些元素,應特別注意樣品預處 理階段。在驗證樣品前處理策略的過程中,所有元素均獲得了良好的回收 率。提供了 13 種不同 Si 樣品中存在的一系列元素的示例數據,以及檢測限 列表。可以測定固體中低至 ppb 級的 B 和 P,并可以測量 ppt 級所研究的其 他元素。

 

有關替代能源的研究正在不斷加速推進,其中發展的領域之一是太陽能器件的開發。根據“宏偉太陽能計 劃”,到 2050 年,美國總電量中的 69% 將來源于太陽 能(《科學美國人》(Scientific American),2008 年 1 月)。對太陽能器件的需求不斷增長,迫切需要高效 能量轉換器(主要含硅)。太陽能(或光伏)級硅的雜 質(特別是硼和磷)控制對成品器件的效率至關重要。 過去,利用電感耦合等離子體發射光譜 (ICP-OES) 對磷 進行分析,為獲得更低的檢測限 (DL),需要采用更靈敏 的方法。本研究介紹了樣品前處理以及使用 Agilent 7500cs 電感耦合等離子體質譜儀 (ICP-MS) 對硅塊(用 于制造太陽能硅器件)中 31 種分析物的分析。

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