AFM電磁學(xué)工作模式及對(duì)應(yīng)探針型號(hào)

PART.1 

Conductive AFM 導(dǎo)電原子力顯微鏡

Conductive AFM (cAFM) — 導(dǎo)電原子力顯微鏡（CAFM）是一種源自接觸AFM的二次成像模式，它表征了中到低導(dǎo)電和半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率變化。CAFM的電流范圍為pA至μA。

PART.2 

Tunneling AFM 峰值力隧穿原子力顯微鏡

Tunneling AFM (TUNA) — 峰值力隧穿原子力顯微鏡（TUNA）的工作原理與導(dǎo)電AFM相似，但具有更高的靈敏度。TUNA表征了通過(guò)薄膜厚度的超低電流（80fA和120pA之間）。TUNA模式可以在成像或光譜模式下運(yùn)行。

PART.3 

Scanning Capacitance Microscopy 掃描電容顯微鏡

Scanning Capacitance Microscopy (SCM) — 掃描電容顯微鏡（SCM）繪制了樣品表面（通常是摻雜半導(dǎo)體）上大多數(shù)載流子濃度（電子或空穴）的變化。SCM向樣本施加高頻（90 kHz）AC偏壓，并使用高頻（1 GHz）檢測(cè)器測(cè)量掃描樣本表面時(shí)的局部樣本電容變化。這些電容變化是半導(dǎo)體中多數(shù)載流子濃度的函數(shù)；因此，相對(duì)載流子濃度可以映射在1016–1021 cm-3的范圍內(nèi)。

Laser Diode Cross Section

PART.4 

Piezo Response Microscopy 壓電力響應(yīng)顯微鏡

Piezo Response Microscopy (PFM) — 壓電力響應(yīng)顯微鏡（PFM）是一種基于接觸模式的技術(shù)，可繪制樣品上的反向壓電效應(yīng)。對(duì)樣品進(jìn)行電刺激，并使用鎖定技術(shù)監(jiān)測(cè)樣品的地形響應(yīng)。振幅和相位信息揭示了關(guān)于樣品上極化的強(qiáng)度和方向的信息。

PPLN PFM Data

PART.5 

Electric Force Microscopy 靜電力顯微鏡

Electric Force Microscopy (EFM) — 靜電力顯微鏡（EFM）通過(guò)導(dǎo)電探針測(cè)量樣品表面上方的電場(chǎng)梯度分布。表征樣品表面的靜電勢(shì)能，電荷分布及電荷運(yùn)輸?shù)取?/p>

Carbon black particles, 3 mm scan size

常用探針選型：