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詳細(xì)摘要：WGD-3/5組合式多功能光柵光譜儀
實驗內(nèi)容：
1、吸收光譜測量：可分析被測物質(zhì)（氣體、液體、固體）進(jìn)行吸收光譜
2、發(fā)射光譜測量：測量發(fā)射光源的光譜特性
3、熒光光譜測量
4、其他：利用氫光譜測量里德伯常量，接收元件靈敏特性的

詳細(xì)摘要：GY-17鈉鎢雙燈
說　　明 :
鎢燈6V15W，鈉燈20W，主要應(yīng)用于邁克爾干涉儀中的白光干涉實驗。
 GY-18／18A亮度可調(diào)鎢燈
說　　明 :
50W，不帶風(fēng)扇GY-18
75W，帶風(fēng)扇GY-18A

詳細(xì)摘要：WGD-100/300小型光柵單色儀結(jié)構(gòu)新穎、性能穩(wěn)定、外形精巧美觀、價格低廉、有*的性能價格比，為廣大用戶提供了又一新型的測量儀器。
儀器特點：
體積小
出入狹縫縫寬均為兩檔，分別為0.15mm、0.3mm
輸出單色光的波長，從波長鼓輪直接讀取<

詳細(xì)摘要：GY-13/13A氫氘燈
說　　明 :
此光源作為一種氣體放電光源，可用于波長標(biāo)定，廣泛應(yīng)用與大學(xué)物理實驗室。此燈包括電源及聚光系統(tǒng)。
氫：656.28nm，486.13nm，434.05nm，410.18nm
氘：656.11nm，486.01nm，433.93nm，410.07nm

詳細(xì)摘要：GY-10∕10A∕10C He-Ne激光器
說　　明 :
作為一種單一波長的光源，可用于幾何光學(xué)、干涉、衍射等光學(xué)實驗。波長：632.8 輸出功率：1.5mW，腔長：250mm全息照相用。

詳細(xì)摘要：WGS-8色度實驗裝置
儀器介紹：
色度學(xué)涉及物理光學(xué)、視覺生理、視覺心理等學(xué)科。許多領(lǐng)域都遇到顏色測量有關(guān)問題，在大學(xué)開展該學(xué)科教育勢在必行。我們研制的WGS-8型是在原WGS-9型色度實驗裝置的基礎(chǔ)上增加發(fā)光體色度測量。*色度學(xué)教學(xué)的空白，為實

詳細(xì)摘要：GY-9A氫燈
說　　明 :
氫燈光譜：410.2nm，434.0nm，486.1nm，656.3nm譜線可用于波長定標(biāo)，廣泛用于大學(xué)物理實驗室，是氫光譜實驗的*光源。

詳細(xì)摘要：ST-21L型方塊電阻測試儀
采用大規(guī)模集成電路作為儀器的主要部分，測量準(zhǔn)確穩(wěn)定，低功耗；
以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；
采用單個電池供電，帶電池欠壓指示；
體積≤175mm X90mm X42mm，重量≤300g；
特制之手握式探筆，球形探針

詳細(xì)摘要：RTS-3型手持式四探針測試儀
測量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的手持式設(shè)計；
體積僅為：185mm（長）*90mm（寬）*30mm（高）； 重量：350g；
使用鋰電池供電，一次充電可連續(xù)使用100小時；

詳細(xì)摘要：ST-21H型方塊電阻測試儀是一種依照類似的國家標(biāo)準(zhǔn)和美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)，專門測量半導(dǎo)體薄層電阻（表面電阻）的新型儀器，可用于測量一般半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電薄膜（ITO透明氧化膜），金屬薄膜……等同類物質(zhì)的薄層電阻。

詳細(xì)摘要：ST-21型方塊電阻測試儀以大規(guī)模集成電路為主要核心；用基準(zhǔn)電源和運算放大器組成高精度穩(wěn)流源；帶回路有效正常指示電路；并配以大型LCD顯示讀數(shù)，使儀器具有體積小、重量輕、外形美、易操作、測量速度快、精度高的特點。

詳細(xì)摘要：RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，專用于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

詳細(xì)摘要：RTS-11型金屬四探針測試儀
專用于測試低阻金屬材料電阻率及方塊電阻
測量范圍：電阻率：10-7～10-2Ω.cm； 方塊電阻：10-6～10-1Ω/□；
是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備，該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M

詳細(xì)摘要：RTS-9型雙電測四探針測試儀采用了四探針雙電測組合（亦稱雙位組合）測量新技術(shù),將范德堡測量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測量，能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測

詳細(xì)摘要：RTS-4四探針測試儀儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。按照單晶硅物

詳細(xì)摘要：PN-12型導(dǎo)電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導(dǎo)電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多晶）導(dǎo)電類型。
可判斷硅材料的電阻率范圍
溫差法：10-4Ω&#183;Cm～105Ω&#

詳細(xì)摘要：LT-2型單晶少子壽命測試儀
是參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶

詳細(xì)摘要：PN-30型導(dǎo)電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導(dǎo)電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多晶）導(dǎo)電類型。
該儀器特別采用工控指示開關(guān)，顯示清晰、經(jīng)久耐用；可隨機(jī)調(diào)零；自動加熱

詳細(xì)摘要：CV-2000型電容電壓特性測試儀
作為組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。

詳細(xì)摘要：CV-5000型電容電壓特性測試儀
在集成電路特別是MOS電路的生產(chǎn)和開發(fā)研制中，MOS電容的C-V測試是極為重要的工藝過程監(jiān)控測試手段，通過C-V測試達(dá)到優(yōu)化生產(chǎn)過程中的工藝參數(shù)，提高IC成品率。