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導電薄膜的電阻檢測新技術-渦流法電阻測量儀
閱讀：1639 發布時間：2021-6-11導電薄膜的電阻檢測新技術-渦流法電阻測量儀
針對手提式薄膜方塊電阻測試儀在使用中容易出現的問題,進行分析研究,提出了解決方案,并在實驗中得到實現.研究的問題包括:電池供電的電壓監測;探頭*與被測樣品接觸良好的檢測;防止探針對被測樣品造成電擊穿;測量時自動進行量程轉換等。
日本napson渦流式電阻檢測儀EC-80P
產品特點
- 只需觸摸手持式探頭即可進行電阻測量。
- 在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
- 使用JOG撥盤輕松設置測量條件
- 連接到連接器的電阻測量探針是可更換的，因此它支持廣泛的電阻。
- （電阻探頭：z多可以使用2 + PN判斷探頭）
測量規格
測量目標
相關（硅，多晶硅，碳化硅等）半導體/太陽能電池材料
的新材料/相關功能性材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關的（金屬，ITO等）
硅基外延離子注入的樣品
化合物與半導體有關的（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯xi）測量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測量范圍
[電阻率] 1 m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um）
[抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
（*所有探頭類型的總范圍）*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（ 0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽能晶片：5至500Ω/□（0. 2至15Ω-cm）