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日本photoscience監測成膜過程中樣品的反射率技術解析

該設備連接在 MBE 成膜設備上，用于監測成膜過程中樣品的反射率。可以將半導體激光應用于樣品，反射光可以通過光電二極管檢測，反射率可以在個人計算機中捕獲，并且可以實時顯示反射率的變化。另外，可以從反射率曲線評價樣品的膜厚。

2. 配置
反射率監視器由以下單元組成。
1) 半導體激光器和引入系統
2) 參考光學監控光學系統
3) 反射光聚光光學系統
4) 檢測器系統
5) 信號捕獲控制和膜厚分析軟件（筆記本電腦）
6) 外殼

3. 各部分的功能和規格
反射率監測裝置具有以下功能和規格。

1）作為激光光源，使用輸出數mW、波長600～700nm的半導體激光，照射半導體激光和導入系統
樣品。激光的溫度控制在 25 攝氏度，以最大限度地減少波長和輸出強度的波動。激光束由光學系統制成平行光通量照射樣品。

2) 參考光監測 光學系統
使用鏡子將參考光引入檢測系統，以確定樣品的反射率。該反射鏡在測量期間位于激光路徑之外，并在確定參考光強度時被引入路徑中。

3) 反射光聚光光學系統
將來自樣品的反射光聚光并聚光到檢測系統中。

4) 檢測系統
來自樣品的反射光和參考光強度由光電二極管接收和檢測。

5) 信號采集控制和膜厚分析軟件（筆記本電腦）
檢測系統檢測到的信號通過USB線在筆記本電腦中放大捕捉。將捕獲的信號與參考光進行比較，并將其相對于時間軸繪制為反射率。實時顯示反射率曲線。可以從獲得的反射率曲線評估當前的膜壓力。

6) 外殼
本裝置安裝在MBE成膜裝置的下法蘭上，裝卸方便。烘烤 MBE 主機時，無需拆下 MBE 主機法蘭即可從外部拆下此監控裝置。