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濺射儀SC-701MkII的特點(diǎn)
閱讀：796 發(fā)布時(shí)間：2024-4-13濺射儀SC-701MkII的特點(diǎn)
濺射的歷史
1852年，英國(guó)科學(xué)家格羅夫發(fā)現(xiàn)了飛濺現(xiàn)象。此時(shí)，減少成為放電管污染原因的飛濺就變得非常重要。格羅夫因第一個(gè)進(jìn)行燃料電池實(shí)驗(yàn)而聞名。
第二次世界大戰(zhàn)期間，光學(xué)元件增透膜的需求增加，真空設(shè)備也得到改進(jìn)。
20世紀(jì)60年代以后，濺射薄膜沉積技術(shù)主要在美國(guó)開(kāi)始使用。（第一臺(tái)商用電子顯微鏡于 1965 年問(wèn)世。）
在成膜技術(shù)之前，濺射現(xiàn)象被用作離子泵。（通過(guò)濺射將氣體分子帶入電極以獲得更高的真空。）
飛濺的起源
這是一個(gè)擬聲詞，但為什么用這個(gè)詞來(lái)形容真空中發(fā)生的現(xiàn)象呢？
據(jù)說(shuō)“濺射"是描述這種現(xiàn)象的第一個(gè)詞。它的意思是發(fā)出“吐"或“咳嗽"等聲音，并傳播某物或發(fā)出該聲音。有些詞典也說(shuō)“發(fā)出咕嚕聲"，很多地方用它作為飛濺的意思。
目前英語(yǔ)中使用的 [ sputter ] 是 splutter 的同義詞。
濺射[濺射]是[濺射]目前的漸進(jìn)形式。雖然它用作名詞“濺射"，但 [ sputter ] 也用作名詞。
圖像是目標(biāo)散布著小爆發(fā)。
成膜方法的分類(lèi)
濺射和真空蒸鍍是利用物理現(xiàn)象的成膜方法，但也有利用化學(xué)反應(yīng)的CVD。
CVD [Chemical Vapor Deposition] 化學(xué)氣相沉積法。這是一種將樣品置于氣態(tài)原料氣氛中，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)在樣品表面形成薄膜的方法。碳化硅膜是眾所知的，但也使用金屬和有機(jī)聚合物。特點(diǎn)是可以形成高純度的薄膜。
另一方面，真空蒸鍍和濺射被稱(chēng)為PVD（物理氣相沉積）。當(dāng)原料顆粒通過(guò)蒸發(fā)或?yàn)R射附著在樣品上時(shí)形成薄膜，不涉及化學(xué)反應(yīng)。
濺射鍍膜的特點(diǎn)
該成膜方法具有以下特征。
作為薄膜原料的顆粒具有很大的能量，對(duì)樣品有很強(qiáng)的附著力。創(chuàng)造出強(qiáng)大的電影
可以在不改變合金和化合物等原材料的組成比的情況下形成膜。
即使是氣相沉積難以實(shí)現(xiàn)的高熔點(diǎn)材料也可以成膜。
只需改變時(shí)間即可高精度控制膜厚。
通過(guò)引入反應(yīng)氣體，還可以形成氧化物和氮化物膜。6：能夠在大面積上均勻地形成膜。
可以通過(guò)將樣品放置在目標(biāo)位置來(lái)進(jìn)行蝕刻。
成膜速度一般較慢（因方法而異）
