哈默納科電機CSG-32-160-GH-F0KAB

光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，不能中“背面EBR”裝置為邊緣光刻膠的去除裝置。

軟烘的目的是去掉光刻膠中的溶劑、增強光刻膠的粘附性、釋放旋轉涂膠產生的內應力、改善線寬控制、防止光刻膠粘附到其他器件上。軟烘在真空熱板上進行

真空吸盤可繞Z軸旋轉，噴嘴可沿X、Y、Z移動，圍繞Z旋轉。噴嘴沿硅片徑向分滴光刻膠，這樣光刻膠就可以均勻噴涂在硅片表面上。光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，不能得而且容易發生剝離（Peeling）而影響其它部分的圖形。所以需要去除。“背面EBR”裝置為邊緣光刻膠的去除裝置。

哈默納科電機CSG-32-160-GH-F0KAB光刻膠最基本的組成是有機溶劑中的一種聚合物溶液。光刻膠的物理特性包括分辨率、對比度、對敏感度、對粘滯性、粘附性、抗蝕性、表面張力、存儲與傳送特性、玷污和顆?？刂频?。光刻膠主要有兩個作用：將掩膜版上的圖形轉移到光刻膠上，在后續工藝中保護下面的材料。光刻膠適合于旋轉涂膠的，硅片會持續旋轉涂膠直到硅片表面形了成一層薄膜。光刻膠涂覆方法的四個基本步驟分別為滴膠、旋轉鋪開、旋轉甩掉多余膠、溶劑揮發。

       硅片上光刻膠涂膠的厚度和均勻性是非常關鍵的質量參數。光刻膠涂覆過程中主要技術參數為：滴膠量，約1~3CC；成膜厚度約1微米左右，厚度變化20-50?。硅片吸附在真空吸盤上，