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LT1高頻光電導少數載流子壽命測定儀

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具體成交價以合同協議為準
  • 型號 XNC-LT1
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 北京市
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更新時間:2022-01-29 10:49:19瀏覽次數:239

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產品簡介

產地類別 國產 應用領域 環保,石油,地礦,電子/電池
測量重復性誤差 測量重復性誤差≤±20%
XNC-LT1高頻光電導少數載流子壽命測定儀
是參照半導體設備和材料國際組織SEMI標準(F28-75)及國家標準GB/T1553-1997設計制造。本設備采用高頻光電導衰減測量方法,適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量,硅單晶壽命測量ρ≥2Ω?cm,由于對樣塊體形無嚴格要求,因此廣泛應用于工廠的常規測量

詳細介紹

XNC-LT1高頻光電導少數載流子壽命測定儀

是參照半導體設備和材料國際組織SEMI標準(F28-75)及國家標準GB/T1553-1997設計制造。本設備采用高頻光電導衰減測量方法,適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量,硅單晶壽命測量ρ≥2Ω•cm,由于對樣塊體形無嚴格要求,因此廣泛應用于工廠的常規測量

導少數載流子壽命測定儀

是參照半導體設備和材料國際組織SEMI標準(F28-75)及國家標準GB/T1553-1997設計制造。本設備采用高頻光電導衰減測量方法,適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量,硅單晶壽命測量ρ≥2Ω•cm,由于對樣塊體形無嚴格要求,因此廣泛應用于工廠的常規測量。壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況,是單晶質量的重要檢測項目。

 

XNC-LT1高頻光電導少數載流子壽命測定儀、技術參數

 

 

 

1)壽命測試范圍:5~10000μs;電阻率測量范圍:ρ≥2Ω•cm

 

 測電子級參雜硅單晶片(厚度小于1mm),電阻率范圍:ρ>0.1Ω•cm(表面可能需要拋光處理)

 

 測量重復性誤差≤±20%

 

2)光脈沖發生裝置

 

 重復頻率>20~30/s,光脈沖關斷時間:0.2~1μs,余輝<1μs

 

 紅外光源波長:1.061.09μm(測量硅單晶),紅外光在硅單晶內穿透深度大于500μm如測量鍺單晶壽命需另行配置適當波長的光源

 

 脈沖電源:5A20A

 

3)高頻源

 

 高頻振蕩源:石英諧振器;頻率:30MHz;低輸出阻抗,輸出功率>1W

 

4 放大器和檢波器

 

 放大倍數約25倍,頻寬:2Hz2MHz

 

5)儀器配置的光源電極臺既可測縱向放置的單晶,亦可測豎放單晶橫載面的壽命

 

 可測單晶尺寸:

 

 斷面豎測:直徑25150,厚度2mm500mm

 

 縱向臥測:直徑5mm150mm,長度50mm800mm

 

 

6)讀數方式:可選配載流子壽命專用測試軟件系統或專用數字示波器讀數,軟件系統測試操作簡單,點擊“測量"即可,自動保存數據及相應測試點衰減波形到數據庫,可進行查詢歷史數據和導出歷史數據等操作。


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