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貨物所在地：上海上海
更新時間：2025-02-08 21:00:08
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PH780DBR系列高功率邊發(fā)射激光器基于Photodigm優(yōu)良的單頻激光技術(shù)。它提供衍射受限的單橫向和縱向模式光束。端面經(jīng)過鈍化處理，具有高功率和高可靠性。該裝置應(yīng)用于以銣基光電材料的原子光譜學(xué)中。
技術(shù)
DBR單頻激光芯片
砷化鋁鎵量子阱（QW）AlGaAs QW 有源層
Epi設(shè)計，可靠性高
特征
多種封裝樣式可供選擇
短脈沖長度下的脈沖操作，確保光譜穩(wěn)定性
適用于 CW 應(yīng)用的高功率
高斜率效率
參數(shù) | 符號 | 單位 | 最小值 | 最大值 |
儲存溫度 | TSTG | °C | 0 | 80 |
工作溫度 | TOP | °C | 5.0 | 70 |
連續(xù)波激光正向電流, T=Top | IF | mA | - | ~120** |
脈沖激光正向電流, T=25°C, | IF | A | - | 0.3 |
PW=300 ns, DC=10% | ||||
激光器反向電壓 | VR | V | - | 0.0 |
光電二極管正向電流1/2/ | IP | mA | - | 5.0 |
光電二極管反向電壓 1/2/ | VR | V | - | 20.0 |
光電二極管暗電流, VR=10V, LD IF=0, 1/2/ | ID | nA | - | 50 |
制冷器電流 1/2/ | ITEC | A | -1.8 | 1.8 |
制冷器電壓 1/2/ | VTEC | V | -1.9 | 1.9 |
熱敏電阻電流 1/2/ | ITHRM | mA | - | 1.0 |
熱敏電阻 1/2/ | VTHRM | V | - | 10 |
外部背反射 | - | dB | - | -14 |
焊接溫度, 10 sec. Max.1/2/ | - | °C | - | 260 |
光纖牽引力 1/ | - | N | - | 5.0 |
光纖彎曲半徑 1/ | - | mm | - | 35 |
1/ 蝶形封裝 2/ TO8 封裝 **不超過所提供的LIV的驅(qū)動電流或操作功率
參數(shù) | 符號 | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
中心波長 | λc | nm | 778 | 780 | 782 |
光輸出功率 @ LIV 電流 | Po | mW | 請參閱Power Options Call-out | ||
斜率效能, 1/ | ηd | W/A | 0.25 | 0.36 | |
斜率效能 | ηd | W/A | 0.60 | 0.75 | - |
閾值電流 | Ith | mA | - | 50 | 70 |
激光器串聯(lián)電阻 | RS | Ω | - | 2.0 | 2.5 |
激光正向電壓 | VF | V | - | 2.0 | 2.5 |
熱敏電阻阻抗 @ 25°C, 1/2/ | RT | KΩ | - | 10 | - |
光電二極管暗電流, VR=10V, LD IF=0, 1/2/ | ID | nA | - | - | 50 |
激光線寬 | ?v | MHz | - | 0.5 | 1 |
偏振消光比, 1/ | PER | dB | -16 | -19 | - |
光束發(fā)散度 @ 半峰全寬 | θ? X θ┴ | o | - | 6 X 26 | 8 X 28 |
邊模抑制比 | SMSR | dB | -30 | - | - |
激光偏振 | TE | ||||
模結(jié)構(gòu) | 基諧模 | ||||
1/ 蝶形封裝 2/ TO-8 封裝
這些設(shè)備對靜電敏感。操作模塊時，必須使用接地工作區(qū)和防靜電手環(huán)。務(wù)必儲存在防靜電容器中，所有導(dǎo)線短接在一起。
產(chǎn)品型號示例:PH780DBR080CM。所有的功率輸入都使用三位數(shù)的格式。請致電工廠對某些原子吸收線進(jìn)行特殊性能選擇和認(rèn)證。蝶形封裝只提供20mW的功率，不建議用于光譜學(xué)應(yīng)用。請參閱Photodigm的應(yīng)用說明，標(biāo)題為 "光學(xué)反饋"
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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