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當前位置：> 供求商機> 無損霍爾遷移率測試儀
非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀，遷移率（霍爾）測試儀，少子壽命測試儀，晶圓、硅片厚度測試儀，表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。
憑借優良的技術和豐富的產品線，已發展成為中國大陸少數具有一定國際競爭力的半導體專用設備提供商，產品得到眾多國內外主流半導體廠商的認可，并取得良好的市場口碑。
主要應用領域：碳化硅測試、氮化鎵測試、晶圓硅片測試、氧化鎵測試、襯底和外延廠商、光伏電池片測試。
霍爾遷移率（Hall mobility）是指Hall系數RH與電導率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱, 故特別稱為Hall遷移率。表示為μH =│RH│σ
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