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精準(zhǔn)控流 易度MFC賦能CVD硅碳負(fù)極工藝革新

閱讀:573      發(fā)布時間:2025-2-27
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硅碳負(fù)極材料屬于鋰離子電池四大主材正極材料、負(fù)極材料、電解液、隔膜中的負(fù)極材料,對于鋰離子電池的能量密度(車輛續(xù)航)、循環(huán)性能(使用壽命)、充放電倍率(快充效率)以及低溫放電性能(車輛在低溫環(huán)境下的續(xù)航衰減)具有較大的影響。


硅碳負(fù)極由于其高理論比容量被視為是繼石墨之后發(fā)展前景較好的負(fù)極材料,成為研究的熱點;國內(nèi)已有多家企業(yè)申請硅碳負(fù)極材料專li,預(yù)計2025硅碳負(fù)極材料市場滲透率將上升,2035年市場規(guī)模將達(dá)660億美元,硅膨脹問題獲改善,硅碳負(fù)極材料需求有望進一步增長。


穩(wěn)定性好促進高品質(zhì)生產(chǎn)

 

除了硅膨脹問題,硅碳負(fù)極材料CVD工藝生產(chǎn)過程中還會遇到其他問題,乙炔作為主要碳源時產(chǎn)率高且質(zhì)量穩(wěn)定,?丙酮作為溶劑幫助乙炔溶解和穩(wěn)定,液體的丙酮會少量進入流道,對質(zhì)量流量器的精度產(chǎn)生較大的影響,尤其是靠熱傳導(dǎo)計算和控制流量的熱式質(zhì)量流量控制器,而層流壓差式質(zhì)量流量控制器由于層流元件是機械結(jié)構(gòu)件,有少量的霧化丙酮進入流道也會快速排出,影響較小。

 

超低漏率減少氧氣進入

 

通過CVD方式制備得到的硅碳負(fù)極材料,核心是通過多孔碳骨架來儲硅,向多孔碳顆粒的孔隙里通入硅烷氣體,通過高溫?zé)峤馐箽怏w沉積形成硅納米顆粒分散在多孔碳的孔隙里。但是如果管道出現(xiàn)泄漏或者質(zhì)量流量控制器的漏率較高,硅烷與空氣中的氧氣反應(yīng)會出現(xiàn)粉體,導(dǎo)致熱式質(zhì)量流量控制器的毛細(xì)管堵塞,影響傳熱系數(shù),也會導(dǎo)致發(fā)熱絲的老化,而層流壓差式質(zhì)量流量控制器沒有旁路,所有氣體均從層流元件經(jīng)過,層流元件不太容易堵塞,即使有少量粉體堵塞也不會對絕大部分區(qū)域造成影響,因此層流原理相比熱式更能抗污染。易度智能的質(zhì)量流量控制器氦檢漏率可以達(dá)到≤1x101opa·m3/s,有效減少粉體的出現(xiàn)。

 

多氣體通用減少客戶庫存

 

對于CVD設(shè)備中,需要用到的氣體控制類型有很多,如硅烷、乙炔、氫氣、氬氣、氧氣等,同時需要多通道協(xié)同控制實現(xiàn);熱式質(zhì)量流量控制器以熱傳學(xué)為基礎(chǔ),每臺產(chǎn)品出需要用實際氣體標(biāo)定,所以原則上只能適用于一種氣體。層流原理不同介質(zhì)通過黏度區(qū)分,黏度是氣體的物性參數(shù),每種氣體的黏度在特定工況下是定值,只要將黏度系數(shù)和算法設(shè)置好,就可以做到直接切換工質(zhì),可適用于多種氣體。

 

針對納米硅合成、氣相沉積過程中乙炔的分解和碳包覆層的形成?等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。易度高精型質(zhì)量流量控制器EC系列憑借其高準(zhǔn)確度(±0.5%S.P.)、高重復(fù)性(±0.1%Rd)、耐腐蝕性、優(yōu)異的密封性能和產(chǎn)品長期穩(wěn)定性,保障了工藝穩(wěn)定性與材料一致性,促進了材料性能(如能量密度、循環(huán)壽命)提升,并顯著改善生產(chǎn)安全。獲得了客戶的好評。

 

 

 

圖片1.png

 

 

規(guī)格型號:EC450

準(zhǔn)確度:±0.5%S.P.(設(shè)定值)(20%100%量程范圍)、±0.1%F.S.(滿量程)(0.5%20%量程范圍)

壓力漂移:Zero≤±0.1%Rd/100kPaSpan≤±0.1%Rd/100kPa(基準(zhǔn)100kPa(絕壓))

溫度漂移:Zero≤±0.02%F.S./℃;Span≤±0.02%F.S./℃(基準(zhǔn)溫度25℃

量程范圍:0.1SCCM~20000SLPM

重復(fù)精度:±0.1%Rd(20%100%F.S.)±0.02%F.S(0.5%20%F.S.

工作范圍:0.5%100%F.S.

響應(yīng)時間(T98) 300ms

啟動預(yù)熱時間: 開機即用無需預(yù)熱

 

讓每一微升氣體,精準(zhǔn)定義硅碳負(fù)極性能!實驗室到量產(chǎn),我們?yōu)楣に嚪€(wěn)定性護航!


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