美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機(jī)械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

細(xì)胞組織微電極陣列拉伸刺激與成像記錄系統(tǒng)，細(xì)胞組織拉伸電刺激測量分析系統(tǒng)，細(xì)胞電極應(yīng)力刺激系統(tǒng)，微電極及機(jī)械力刺激系統(tǒng)，微電極耦合機(jī)械力刺激系統(tǒng)，微電極同時機(jī)械力刺激系統(tǒng)，微電極偶聯(lián)機(jī)械力刺激系統(tǒng)                        3D 貼合微電極陣列，用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能，以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測試和組織工程。
大腦類器官使用人體細(xì)胞來復(fù)制大腦的 3 維結(jié)構(gòu)。 與動物模型和 2D 細(xì)胞培養(yǎng)物相比，它們可用作在更接近人體的環(huán)境中研究神經(jīng)和神經(jīng)退行性腦疾病的有效模型。 然而，它們的功效已被用于記錄大腦類器官電信號的方法的限制所扼殺。

傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的，因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分，而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸，以收集比以前更多的神經(jīng)信號。

 3D 微電極陣列為球形類器官創(chuàng)建一個更貼近自然地環(huán)境，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項(xiàng)新技術(shù)將推動創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

美國bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 微電極陣列為球形類器官創(chuàng)建一個更貼近自然地環(huán)境，以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項(xiàng)新技術(shù)將推動創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

微裂紋金膜具有多種理想特性：

• 低電阻抗

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