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微流控芯片的光刻工藝和產品特點說明

閱讀:2113      發布時間:2022-10-13
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   微流控芯片的光刻工藝:
  光刻是用光刻膠、掩模和紫外光進行微制造,工藝如下:
  (a)仔細地將基片洗凈;
 
  (b)在干凈的基片表面鍍上一層阻擋層,例如鉻、二氧化硅、氮化硅等;
 
  (c)再用甩膠機在阻擋層上均勻地甩上一層幾百A厚的光敏材料——光刻膠。光刻膠的實際厚度與它的粘度有關,并與甩膠機的旋轉速度的平方根成反比;
 
  (d)在光掩模上制備所需的通道圖案。將光掩模復蓋在基片上,用紫外光照射涂有光刻膠的基片,光刻膠發生光化學反應;
 
  (e)用光刻膠配套顯影液通過顯影的化學方法除去經曝光的光刻膠。這樣,可用制版的方法將底片上的二維幾何圖形精確地復制到光刻膠層上;
 
  (f)烘干后,利用未曝光的光刻膠的保護作用,采用化學腐蝕的方法在阻擋層上精確腐蝕出底片上平面二維圖形。
 
  微流控芯片的產品特點:
  提供真空環境,提高成功率
 
  采用真空熱壓系統,可根據不同材料、不同芯片通道寬度、深度設定壓力、溫度、時間,以達到熱壓及鍵合要求。
 
  控溫準確,面內熱分布均勻
 
  設備使用恒溫控制加熱技術,實現溫度精確控制;鋁合金工作平臺,上下面平整,熱導速度快、熱導均一。
 
  適用于多種尺寸芯片加工,實驗成本低
 
  設備加熱鍵合面積大,涵蓋常用尺寸的微流控芯片。
 
  參數精準可調
 
  該設備可針對不同材料設置鍵合溫度、壓力與真空度,精準低偏差。
 
  操作靈活簡單,上手快
 
  工作平臺操作方式為上下芯片手工對準貼合,自動加壓鍵合。

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