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上海元鋅自動化系統有限公司
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當前位置:上海元鋅自動化系統有限公司>>菲尼克斯電源>> QUINT-BAT/24DC/12AH菲尼克斯功率存儲設備2866365采用鉛AGM技術

菲尼克斯功率存儲設備2866365采用鉛AGM技術

參   考   價: 1450

訂  貨  量: ≥1 件

具體成交價以合同協議為準

產品型號QUINT-BAT/24DC/12AH

品       牌其他品牌

廠商性質經銷商

所  在  地上海市

更新時間:2024-11-15 15:48:58瀏覽次數:263次

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應用領域 電氣
菲尼克斯功率存儲設備2866365采用鉛AGM技術
電源存儲設備,鉛質AGM, VRLA技術,24 V DC,12 Ah。通過針式電纜插頭連接,14 mm。

菲尼克斯功率存儲設備2866365采用鉛AGM技術

哪種材料適合作為某種半導體材料的摻雜物(dopant)需視兩者的原子特性而定。一般而言,摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負被區分為施主(donor)與受主(acceptor)。施主原子帶來的價電子(valence electrons)大多會與被摻雜的材料原子產生共價鍵,進而被束縛。而沒有和被摻雜材料原子產生共價鍵的電子則會被施主原子微弱地束縛住,這個電子又稱為施主電子。和本質半導體的價電子比起來,施主電子躍遷至傳導帶所需的能量較低,比較容易在半導體材料的晶格中移動,產生電流。雖然施主電子獲得能量會躍遷至傳導帶,但并不會和本質半導體一樣留下一個電洞,施主原子在失去了電子后只會固定在半導體材料的晶格中。因此這種因為摻雜而獲得多余電子提供傳導的半導體稱為n型半導體(n-type semiconductor),n代表帶負電荷的電子。

和施主相對的,受主原子進入半導體晶格后,因為其價電子數目比半導體原子的價電子數量少,等效上會帶來一個的空位,這個多出的空位即可視為電洞。受主摻雜后的半導體稱為p型半導體(p-type semiconductor),p代表帶正電荷的電洞。

以一個硅的本質半導體來說明摻雜的影響。硅有四個價電子,常用于硅的摻雜物有三價與五價的元素。當只有三個價電子的三價元素如硼(boron)摻雜至硅半導體中時,硼扮演的即是受主的角色,摻雜了硼的硅半導體就是p型半導體。反過來說,如果五價元素如磷(phosphorus)摻雜至硅半導體時,磷扮演施主的角色,摻雜磷的硅半導體成為n型半導體。



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