摘要
在半導體行業需要應用ICP-MS監測芯片制造 過程中的清洗液中磷的含量。磷的質荷比為31 ，會 受到N15O16 、 Si28H1 、 N14O16H1等多原子離子 的干擾 ， 以至于背景信號特別高 ，檢出限難以滿足 要求 。 故本實驗采用冷焰條件 ， 通過P31O16測試 某芯片制造廣生產過程中的清洗液 。 檢出限低至 0.037ug/L ， 同時對比了熱焰情況下 、 ICPMS的測 試結果及ICP-OES的測試結果 ，結果表明 ， 三者結果相近。
挑戰
通過P31O16測試P ， 避免N15O16、
Si28H1、 N14O16H1的干擾 ， 獲得 更低檢出限
基體
1%HNO3
目的
檢測低含量P
樣品和試劑
表 1 校準曲線
儀器方法
表2 PQMS配置參數
結果
表3 測試結果
表4 標準曲線及LOD
討論
本實驗采用冷焰條件 ，通過P31O16測試某芯片制造廣生產過程中的清洗液。線性相關 系數0.999879 ，檢出限低至0.0374ug/L。 同時對比了冷焰條件、熱焰條件下ICPMS的測試結 果及ICP-OES的測試結果 ，結果表明 ，三者結果相近 ，充分證明了采用冷焰條件 ，通過測試 P31O16測試樣品中的P是一種可靠的方法。
產品介紹
PlasmaQuant MS 靈敏度可顯著提高樣品分析效率降低單樣品分析成本。設計的ICP-MS分析確保在極短的積分時間或大比例稀釋的前提下，依然可以獲得的檢出限和恒定的分析速率。這就保證了最大的樣品通量、分析結果的長期穩定性及重復性，并顯著減少日常維護頻率。
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