Back Grinding)在國(guó)內(nèi)有時(shí)叫“背研"，也有的根據(jù)目的叫做“減薄"。顧名思義，主要是將晶圓通過背面打磨使之厚度控制在一定的范圍.為什么要這樣做?因?yàn)檫@道工藝對(duì)于設(shè)備的精度要求較高，而且加工成本也不低。在打磨的過程中很容易造成晶圓破裂，尤其是現(xiàn)在的晶圓直徑越來越大(現(xiàn)在12"的晶圓已經(jīng)投入生產(chǎn)批量)更增加了控制難度。所以有些晶圓代工/加工企業(yè)就留下這一工序，放在后工序來做。

因此后工序企業(yè)拿到的晶圓，,有時(shí)候是沒法直接使用的，有時(shí)是因?yàn)槌叽缫螅热缟a(chǎn)表面貼裝器件，器件本身的厚度就很小;還有的就是一些功率器件，如果晶圓太厚會(huì)造成散熱不良，所以必須將晶圓的厚度控制在能都接受的范圍。

一般情況下對(duì)于中功率分離器件，厚度大約在350 450微米之間。而對(duì)于集成電路，厚度還要小，有些已經(jīng)達(dá)到180微米甚至更薄Baid'文庫

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京都玉崎東西什么是晶圓研磨?

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