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目錄:牛津儀器(上海)有限公司>>ICP Etching>> PlasmaPro 80 ICP

PlasmaPro 80 ICP
  • PlasmaPro 80 ICP
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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更新時(shí)間：2022-11-30 17:46:04瀏覽次數(shù)：249評(píng)價(jià)

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PlasmaPro 80 ICP是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質(zhì)量。直開式設(shè)計(jì)允許快速的進(jìn)行晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計(jì)和少量生產(chǎn)的理想選擇。 該設(shè)備通過優(yōu)化了的電極冷卻技術(shù)和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高度穩(wěn)定的工藝結(jié)果。 詢價(jià) 增加到詢價(jià)列表 在詢價(jià)列表中查看此產(chǎn)品
  • III-V族材料刻蝕工藝
  • 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
  • 二氧化硅和石英刻蝕
  • 用于失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓
  • 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模的沉積和刻蝕
Top dielectric layer removed, exposing four metal layers

    去除頂部介電層，露出四層金屬層

    Top dielectric layer removed, exposing four metal layers

    去除頂部介電層，露出四層金屬層

    Low damage FA etching in the ICP65

    用ICP65進(jìn)行低損傷的FA刻蝕

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