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LED熱阻測量系統的相關分析

來源:上海五鈴光電科技有限公司   2017年04月21日 09:57  
LED熱阻的測量系統的相關分析
隨著 LED 超高亮度的出現及 LED 色彩的豐富,LED 的應用也由zui初的指示擴展到交通、大屏 幕顯示、汽車剎車燈、轉向燈、工程建筑裝飾燈、特種照明領域并正在向普通照明積極推進。阻 礙這一發展的zui大敵害是 LED 的熱量管理,因此從事熱阻、結溫、熱參數匹配等問題的研究和改 進具有深遠的意義。 如何降低大功率 LED 的熱阻、結溫,使 PN 結產生的熱量能盡快的散發出去,不僅可提高產 品的發光效率,提高產品的飽和電流,同時也提高了產品的可靠性和壽命。據有關資料分析,大 約 70%的故障來自 LED 的溫度過高,并且在負載為額定功率的一半的情況下溫度每升高 20 C 故 障就上升一倍。為了降低產品的熱阻,首先封裝材料的選擇顯得尤為重要,包括晶片、金線,硅 膠、熱沉、粘結膠等,各材料的熱阻要低即要求導熱性能好;其次結構設計要合理,各材料間的 導熱性能和膨脹系數要連續匹配。 避免導熱通道中產生散熱瓶頸或因封裝物質的膨脹或收縮產生 的形變應力,使歐姆接觸、固晶界面的位移增大,造成 LED 開路和突然失效。 目前測量半導體器件工作溫度及熱阻的主要方法有:紅外微象儀法,電壓參數法,還有光譜 法,光熱阻掃描法及光功率法。其中電壓法測量 LED 熱阻zui常用。
熱的產生、 LED 熱的產生、傳導和疏散與傳統光源一樣,半導體發光二極管(LED)在工作期間也會產生熱量,其多少取決于整體 的發光效率。在外加電能量作用下,電子和空穴的輻射復合發生電致發光,在 P-N 結附近輻射出 來的光還需經過晶片(chip)本身的半導體介質和封裝介質才能抵達外界(空氣)。綜合電流注 入效率、輻射發光量子效率、晶片外部光取出效率等,zui終大概只有 30-40%的輸入電能轉化為光能,其余 60-70%的能量主要以非輻射復合發生的點陣振動的形式轉化熱能。而晶片溫度的升 高,則會增強非輻射復合,進一步消弱發光效率。 大功率 LED 一般都有超過 1W 的電輸入功率,其產生的熱量相當可觀,解決散熱問題乃當務 之急。通常來說,大功率 LED 照明光源需要解決的散熱問題涉及以下幾個環節: 1. 晶片 PN 結到外延層 ; 2. 外延層到封裝基板 ; 3. 封裝基板到外部冷卻裝置再到空氣。 這三個環節構成大功率 LED 光源熱傳導的主要通道, 熱傳導通道上任何薄弱環節都會使熱導 設計毀于一旦。熱的傳播方式可分為三種:(1)傳導——熱量是通過逐個原子傳遞的,所以不 能采用高熱阻的界面材料;(2)對流——熱量通過流轉的介質(空氣、水)擴散和對流,從散 熱器傳遞到周圍環境中去,故不要限制或阻止對流;(3 )輻射——熱量依靠電磁波經過液體、 氣體或真空傳遞。 對大功率 LED 照明光源而言傳導方式起zui主要的作用, 為了取得好的導熱效果, 三個導熱環節應采用熱導系數高的材料,并盡量提高對流散熱。

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