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CVD管式爐特點：
淀積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時間成正比，均勻性，重復性好，臺階覆蓋性優良。
制備的必要條件
1) 在沉積溫度下，反應物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當的速度被引入反應室;
2) 反應產物除了形成固態薄膜物質外，都必須是揮發性的;
3) 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。
何為CVD管式爐?
CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術zui初是作為涂層的手段而開發的，但目前，不只應用于耐熱物質的涂層，而且應用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特征的技術領域。
其技術特征在于：⑴高熔點物質能夠在低溫下合成;⑵析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種; ⑶不僅可以在基片上進行涂層，而且可以在粉體表面涂層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。
例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低溫度發展。
工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進行氣相反應;另一種是使加熱基體表面的原料氣體發生熱分解。
裝置由氣化部分、載氣精練部分、反應部分和排除氣體處理部分所構成。目前，正在開發批量生產的新裝置。
CVD管式爐是在含有原料氣體、通過反應產生的副生氣體、載氣等多成分系氣相中進行的，因而，當被覆涂層時，在加熱基體與流體的邊界上形成擴散層，該層的存在，對于涂層的致密度有很大影響。這樣，由許多化學分子形成的擴散層雖然存在，但其析出過程是復雜的。粉體合成時，核的生成與成長的控制是工藝的重點。
作為新的CVD技術，有以下幾種：
⑴采用流動層的CVD;
⑵流體床;
⑶熱解射流;
⑷等離子體CVD;
⑸真空CVD，等。
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