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安東帕半導體行業檢測方案

來源:安東帕(上海)商貿有限公司   2018年08月08日 15:50  

不知不覺中,2018年已經過去了一半。回顧上半年,中美貿易爭端無疑是引人注目的熱點。中興事件敲響警鐘,更多機構介入到芯片的設計和制造領域,加速芯片國產化。而物聯網創業項目,覆蓋各類智能汽車、機器人、智能家居等領域持續火熱,中國半導體產業或爆發式成長。

 

半導體元件需求增加,也會導致上下游企業,如半導體化學機械研磨液,陶瓷基板等供需發生改變。安東帕可為半導體行業提供眾多測量,從密度和濃度測量到表面電荷分析。

 

表面電荷和Zeta電位

SurPASS固體表面 Zeta 電位分析儀/

Litesizer™ 系列

 

晶圓處理制程有物理、化學氣相沉積,離子植入,化學機械拋光(CMP)等。微電子或傳感器制造中的濕化學工藝將界面電荷引入到晶片的表面。這類工藝的突出例子也就是化學機械拋光(CMP)和拋光后的清洗。
 

尺寸范圍在數百納米以及復雜組成的陶瓷顆粒漿料暴露在晶片表面。納米顆粒和晶片表面兩者的電荷決定靜電作用力。吸附力使得帶相反電荷顆粒具有強的黏附力,保持吸附在晶體上并不易被移除。因此,CMP漿料的優化是非常重要的,并且對相應晶片表面的表面電荷的了解是必需的。

 

半導體基底領域內zeta電位的另外一個應用是在不改變晶片厚度和電子性能下沉積自組裝單層膜(SAM)來調整表面化學,外層固體表面zeta電位的靈敏性使得這個參數適合用來SAMs的質量監控。

 

納米壓痕/劃痕儀及原子力顯微鏡

安東帕Tritec的表面力學測試設備廣泛的用于半導體領域,無論是晶圓加工,還是芯片封裝測試,如薄膜的力學性能評估,微小器件的失效分析。

 

安東帕NSP的原子力顯微鏡評估晶圓處理前后的差異與清潔度或圖案晶圓的圖案晶圓的溝槽于圖案 。

 

CMP質量監控中,原子力顯微鏡臨界尺寸測量的一個重要原因是要達到對產品所有線寬的準確控制。安東帕原子力顯微鏡(AFM)可評估晶片處理前后的差異,提供三維表面形態影像。

 

酸堿及研磨液測量

安東帕密度/在線檢測儀器

 

拋光液的油含量測量會直接影響到拋光的效果,安東帕的聲速傳感器L-SONIC系列可直接測量該液體的油濃度含量,在線實時的監控保證了的生產。

 

在電鍍液中,安東帕的在線密度傳感器L-DENS7000系列,配合電導率的測量結果,可地測量液體中酸與金屬離子的含量,讓液體中的成份盡在掌握之中。

手持的密度計DMA 35也能方便地隨時取樣,在檢測樣品密度的同時對樣品進行跟蹤,快速獲得結果。在電鍍液、電刻液等密度控制上,DMA 501也能提供密度測量的解決方案。

 

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