AEC-Q200試驗條件

說明：AEC-Q200的環(huán)境試驗條件，主要是依據(jù)MIL-STD-202與JEDEC22A-104規(guī)范來制定的，不同零件的試驗溫度除了不一樣之外，其施加電源(電壓、電流、負載)要求也會有所不同，高溫儲存屬于不施加偏壓與負載，但是在高溫工作壽命就需要，溫度循環(huán)與溫度沖擊，其試驗目的與手法不一樣，在溫度循環(huán)中高低溫變化需控制溫變率，溫沖擊則不用，偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗，而濕度抵抗就是濕冷凍試驗

試驗條件注意事項：1000h試驗過程需在250h、500h進行間隔量測

高溫儲存(MIL-STD-202-108)：[適用設備：高低溫試驗箱] 
薄膜電容、網(wǎng)絡低通濾波器、網(wǎng)絡電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h
電感、變壓器、電阻：125℃/1000h
變阻器：150℃/1000h
鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：*大額定溫度/1000h
 

高溫工作壽命(MIL-STD-202-108)：[適用設備：高低溫試驗箱]   
網(wǎng)絡低通濾波器、網(wǎng)絡電阻：85℃/1000h
EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h/施加額定IL
鉭電容、陶瓷電容：*大額定溫度/1000h/ (2/3)負載/額定電壓 
鋁電解電容、電感、變壓器：105℃/1000h
薄膜電容：1000h/(85℃/125%額定電壓、105℃&125℃/100%額定電壓)
自恢復保險絲：125℃/1000h
電阻、熱敏電阻、可變電容：125℃/1000h/額定電壓
可變電阻：125℃/1000h/額定功率
變阻器：125℃/1000h/額定電壓85％+ma電流
陶瓷共鳴器：85℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
石英震蕩器：125℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容

溫度循環(huán)(JEDEC22A-104)：[適用設備：冷熱沖擊試驗箱、ESS快速溫度變化試驗箱]  
薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻： -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
鋁電解電容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
電感、變壓器、變阻器、石英震蕩器、自恢復保險絲：-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
網(wǎng)絡低通濾波器、網(wǎng)絡電阻：-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles