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薄膜沉積控制儀包括反應腔室，還包括至少兩套成膜機構，所述至少兩套成膜機構分別對應待成膜基板的至少兩個成膜區(qū)域；每套所述成膜機構配置為在所述反應腔室內形成一種成膜環(huán)境，且各套所述成膜機構所形成的成膜環(huán)境中至少一項工藝參數(shù)不同，以分別在對應的成膜區(qū)域形成薄膜性能或薄膜參數(shù)不同的薄膜。
薄膜設備為與高速加工以及大量的節(jié)省加工時間、成本相結合，零件的改進已經成為其中的重要因素。在薄膜的加工中，為得到的效益，因此必須要選擇合適的表面處理工藝。對于中重負荷的機械，要選擇CVD高溫鍍鈦，并與精密真空熱處理相輔助，從而才可以達到可以接受變形量。
薄膜沉積室本底真空：≤1Pa；
薄膜沉積室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成；有效尺寸：Φ220×H230mm；
射頻耦合方式：電容耦合/電感耦合；射頻源功率：帶500W13.56MHz；
氣路系統(tǒng)：由三路轉子流量計控制（可選配質量流量計）；
襯底加熱溫度：室溫至300℃可控；
平行板電極：Φ70mm；
工作反應氣體：由電極板上微孔均勻導入；
真空抽氣系統(tǒng)：2XZ-4型旋片機械泵，4L/S，單相220V交流電源供電；
管道、閥門：材質使用不銹鋼和金屬波紋管；
對過流過壓、斷路等異常情況進行報警，并執(zhí)行相應保護措施；
供電電源：AC220V，50Hz，整機功率2KW。
運行處理成本是薄膜沉積控制儀工藝設計需要考慮的一個重要問題，一般運用好薄膜的生產技術為核心技術。
管理人員對設備了解不足，所以設計的處理系統(tǒng)盡量操作、維護便捷。
必須確保采用的工藝產出的水質符合薄膜設備回用標準。
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