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干法激光粒度儀遮光率可定義為顆粒在光束中的遮光截面與光束總面積之比，運用中常由被顆粒散射和吸收掉的光占輸出光總量（扣除布景散射）的百分比表示。因而遮光率又稱光學濃度。具體計算方法是用激光透過純潔介質后探測器中心點的光強與加入樣品后探測器中心點的光強的差除以光強，一般的遮光率在百分之十到十五之間。
光學濃度與顆粒的體積百分比濃度不同，前者與顆粒大小有關，顆粒越小，比表面積越大，遮光能力就越強。因而，體積濃度相同的兩種樣品中，較小顆粒在干法激光粒度儀中會顯現更大的光學濃度。
干法激光粒度儀半導體激光器又稱激光二極管,是20世紀80年代半導體物理開展的效果之一。半導體激光器的長處是體積小、質量輕、可靠性好、運用壽命長、功耗低。此外,半導體激光器采用低電壓恒流供電方法,電源故障率低、運用安全、維修成本低。現在,半導體激光器的運用數量居所有激光器,某些重要的應用領域,過去常用的其他激光器,已逐步被半導體激光器所取代。其光功能受溫度影響大,光束的發散角也大(一般在幾度到二十度之間),所以在方向性單色性和相干性等方面較差。但隨著科學技術的迅速開展，現在半導體激光器的功能現已到達很高水平,并且光束質量也有了很大提高。半導體激光器用作激光粒度儀的光源時,須采取恒溫辦法，以證輸出功率的安穩,因而電路比較復雜。
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