在化驗分析中，試樣的溫度要控制在適當的溫度范圍，有時還要按規定的溫度曲線進行升溫和降溫如果采用傳統的接觸器通斷控制方式不但溫度控制精度低，而且能耗高，甚至很多控制溫度無法滿足規定要求。隨著新產品開發的進一步加快，試樣的分析對溫度的要求越來越高。尋找節能環保的加熱控溫設備，可控硅溫度控制器是目前行之有效的方法。

1 可控硅溫度控制器的組成與原理
　　溫度測量與控制是熱電偶采集信號通過pid溫度調節器測量和輸出0～10ma或4～20ma控制觸發板控制可控硅導通角的大小，從而控制主回路加熱元件電流大小，使電阻爐保持在設定的溫度工作狀態。可控硅溫度控制器由主回路和控制回路組成。主回路是由可控硅，過電流保護快速熔斷器、過電壓保護rc和電阻爐的加熱元件等部分組成。

　　控制回路是由直流信號電源、直流工作電源、電流反饋環節、同步信號環節、觸發脈沖產生器、溫度檢測器和pid溫度調節器等部分組成。

2 可控硅溫度控制器的實現方法
2．1溫度檢測和pid調節器構成
　　工業電阻爐是一類具有非線性、大滯后、大慣性的常見工業被控對象。電阻爐廣泛應用于化驗室樣品熔樣，熱處理中工件的分段加熱和冷卻等。根據工藝對溫度精度的不同要求可以選用不同類型的pid調節器控制溫度在適當的范圍。
　　對于要求保持恒溫控制而不要溫度記錄的電阻爐采用帶pid調節的數字式溫度顯示調節儀顯示和調節溫度，輸出0～10ma作為直流信號輸入控制可控硅電壓調整器或觸發板改變可控硅管導通角的大小來調節輸出功率，*可以滿足要求，投入成本低，操作方便直觀并且容易維護。

2．2觸發電路
　　可控硅觸發電路應滿足下列要求：觸發脈沖的寬度應保證可控硅可靠導通；觸發脈沖應有足夠的幅度；不超過門極電壓、電流和功率定額，且在可靠觸發區域之內；應有良好的抗干擾性能、溫度穩定性及與主電路的電氣隔離?！　?/span>

2．3可控硅的選擇
    可控硅主要參數：
（1）額定電壓
　　斷態重復峰值電壓u。：在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的正向峰值電壓。反向重復峰值電壓：在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的反向峰值電壓。通常取可控硅的和中較小的標值作為該器件的額定電壓。選用時，額定電壓要留有一定裕量，一般取額定電壓為正常工作時晶閘管所承受峰值電壓2～3倍。
（2）額定電流
　　可控硅在環境溫度為40～c和規定的冷卻狀態下，穩定結溫不超過額定結溫時所允許流過的大工頻正弦半波電流的平均值。使用時應按實際電流與通態平均電流有效值相等的原則來選取可控硅并非應留一定的裕量，一般取1．5～2倍。
2．4安裝和操作
　　由于可控硅溫度控制器的主回路電流都比較大，因此選擇合適的線路電纜直徑線路是十分重要的，并且要確保線路的可靠連接，防止負載短路擊穿可控硅；考慮到可控硅電流突變時較易損壞，開爐時要手動調節使電流緩慢上升，關爐時要關小電流。

設備列表:

遼寧賽亞斯可控硅控制器

可控硅單相可控整流或單向交流調壓通用的閉環觸發控制器。

(如用于電鍍、電解、電氧化、電磁鐵、充電、電加熱、焊接、電機調速等裝置)。

適用于單相全波、

單相半控橋整流電路和可控硅反并聯(或雙向可控硅)的單向交流調壓電路。 

設有能實現穩壓或穩流功能的PI調節器，并具有過流保護、軟啟動和脈沖鎖相功能，

還設有隔離脈沖變壓器和電源變壓器。

本控制器結構緊湊、工作指示明晰、使用方便、接線簡單、工作可靠。

通過開關切換也可實現不經PI調節器的開環直接控制（過流保護功能仍起作用）。