本實(shí)驗(yàn)裝置使用砷化鎵（GaAs）霍爾傳感器測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度，研究銻化銦（InSb）磁阻傳感器在不同的磁感應(yīng)強(qiáng)度下的電阻大小。可觀測(cè)半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)和磁阻效應(yīng)兩種物理規(guī)律，及其作為磁測(cè)量不同應(yīng)用，具有研究性和相關(guān)性的實(shí)驗(yàn)特點(diǎn)，適合于基礎(chǔ)物理實(shí)驗(yàn)和綜合性物理實(shí)驗(yàn)。
主要參數(shù)及性能：
1、IM：勵(lì)磁電流，直流0~900mA連續(xù)可調(diào)，3位半數(shù)顯；
2、Is：傳感器工作電流，直流0~1mA連續(xù)可調(diào)，3位半數(shù)顯；
3、數(shù)字式磁場(chǎng)強(qiáng)度和磁阻電壓測(cè)量：
   磁場(chǎng)強(qiáng)度0~999mT，準(zhǔn)確率1%；
   磁阻電壓0~2000mV，準(zhǔn)確率為0.5%。

本實(shí)驗(yàn)裝置使用砷化鎵（GaAs）霍爾傳感器測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度，研究銻化銦（InSb）磁阻傳感器在不同的磁感應(yīng)強(qiáng)度下的電阻大小。可觀測(cè)半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)和磁阻效應(yīng)兩種物理規(guī)律，及其作為磁測(cè)量不同應(yīng)用，具有研究性和相關(guān)性的實(shí)驗(yàn)特點(diǎn)，適合于基礎(chǔ)物理實(shí)驗(yàn)和綜合性物理實(shí)驗(yàn)。
主要參數(shù)及性能：
1、IM：勵(lì)磁電流，直流0~900mA連續(xù)可調(diào)，3位半數(shù)顯；
2、Is：傳感器工作電流，直流0~1mA連續(xù)可調(diào)，3位半數(shù)顯；
3、數(shù)字式磁場(chǎng)強(qiáng)度和磁阻電壓測(cè)量：
   磁場(chǎng)強(qiáng)度0~999mT，準(zhǔn)確率1%；
   磁阻電壓0~2000mV，準(zhǔn)確率為0.5%。