【引言】

六方氮化硼（hBN）單晶納米片的原子平滑表面，為光電應用域帶來了革命性的突破。在納米光學方面，hBN的強非線性、雙曲線色散和單光子發射等性，為相應的光學和量子光學器件帶來些有性能。在納米電子學域，良好的物理，化學穩定性和較寬的禁帶，使hBN成為二維電子器件的關鍵材料。目前，對hBN的研究重點局限于二維扁平結構，尚未涉其3D立體結構對性能的影響。如果能根據需求對hBN納米片的高度做出相應調整，將為下代光電器件中調節光子流，電子流和激子流等性能提供個有效的方法。

【成果簡介】

近日，Norris教授課題組用3D納米直寫技術和反應離子刻蝕的方法制備出可任意調控形貌的hBN納米3D結構。此類hBN納米3D結構在光電子器件研究域尚屬次。得意于3D納米結構高速直寫機（NanoFrazor）在光刻膠上能實現亞納米精度的精確加工，Norris教授課題組運用該方法制備了光電子學相板、光柵耦合器和透鏡等元件。獲得的元件通過后續組裝過程制備成高穩定、高質量的光學微腔結構。隨后，通過縮小圖形長度比例的方法，引入電子傅里葉曲面，在hBN上實現復雜的高精度微納結構，展現了NanoFrazor在3D納米加工域的潛力。

【圖文導讀】

圖1. 使用NanoFrazor制備hBN納米3D結構流程圖

（a）左圖為用NanoFrazor在光刻膠表面上實現3D結構制備，右圖為通過反應離子刻蝕方法將光刻膠上的3D結構轉移到hBN的流程；（b）Mandelbrot分形圖案刻蝕在光刻膠上的結果。黑色代表圖形的高處，白色為至低處；（c）光刻膠上的Mandelbrot分形圖案通過圖（a）中的過程轉移到hBN上的結果；（d）圖（c）中hBN的SEM（傾轉30o）表征結果。

圖2. 用NanoFrazor在hBN上制備任意形貌的納米3D結構

（a）白色中線左側為準備的高密度圖形樣圖，右側為通過NanoFrazor將高密度圖形轉移到hBN后的實際結果；（b）將圖（a）中的圖形轉移到hBN后的SEM表征結果；（c）AFM測量圖（a）中紅色虛直線所示部分的表面形貌；（d）hBN納米3D結構的高分辨成像，左下角厚度為95 nm，右上角厚度為50 nm；（e）AFM測量hBN中高密度方形結構（29 nm）周期性圖樣結果，體現了NanoFrazor對制備結構的高度可控性；右上角插圖是該周期性結構的快速傅里葉變換（FFT）結果。

圖3. 用NanoFrazor制備的hBN光學微納元件

（a）在130 nm厚hBN上制備螺旋相位板陣列的光學表征結果；（b）單個螺旋相位板的AFM結果；（c）具有球形輪廓的hBN微透鏡光學顯微照片；（d）微透鏡理論圖樣（左側）和實際制備結果（右側）比較；（e）光學微腔的示意圖，頂鏡、底鏡、hBN微透鏡（藍色）和帶橫向限制（黑色箭頭）的腔模式（紅色）；（f）擁有hBN微透鏡的微腔角分辨光譜結果；（g）根據制備的微腔幾何結構所計算的橫向Ince-Gaussian模分布結果；（h）測量的橫向Ince-Gaussian分布結果。

圖4. hBN上制備的電子傅里葉曲面

（a）具有六邊形晶格的電子傅里葉曲面位圖；（d）將兩個六邊形晶格與個在平面上旋轉10°的晶格疊加而成的位圖；（g）兩個疊加的六邊形晶格的位圖，周期分別為55和47 nm，無平面內旋轉；（j）將九個位圖分別在平面內旋轉0、20、40、60、80、100、120、140和160°后的疊加效果；（b）、（e）、（h）、（k）為使用NanoFrazor在光刻膠上制備（a）、（d）、（g）、（j）中圖形時所獲得的結果；（c）、（f）、（i）、（l）、是把（b）、（e）、（h）、（k）中的圖案刻蝕在hBN上的AFM測量結果；（a）-（l）中的插圖代表著相應圖案的FFT結果。

【小結】

本文用NanoFrazor有的3D納米直寫技術在hBN上實現了復雜高精度納米3D結構的制備,為光電器件性能的應變調控和能帶結構調控帶來了新的研究方向。這研究結果表明，NanoFrazor在開拓雙曲線超材料、化電子、扭轉電子、量子材料和深紫外光電器件等域新的研究方向上有著重要的作用。 

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