介紹：

            在傳統的高速旋涂無法提供均勻覆蓋深孔形貌或高縱橫比的應用中，超聲波半導體光刻膠噴涂系統用均勻的光刻膠薄膜涂覆半導體成為了完整的解決方案。與傳統的旋涂相比，采用超聲波噴涂的光致抗蝕劑涂層在沉積更均勻的涂層方面具有優勢，特別是在高深寬比溝槽和v形槽結構中沿側壁頂部沉積時，離心旋涂無法沉積均勻的涂層沿著側壁形成膜，而沒有過多的光致抗蝕劑沉積在腔體的底部。事實證明，使用超聲技術進行直接噴涂是將光刻膠沉積到3D微結構上的可靠且有效的方法，從而減少了因金屬過度暴露于抗蝕劑涂層而導致的設備故障。

組成：

    整機由超聲波霧化噴嘴，專用驅動電源，XYZ三軸聯動伺服系統，智能化操作系統，液體供給系統，低速空氣裝置，外殼箱體等組成。

優勢：

• 各種表面輪廓的高均勻薄膜覆蓋率。
• 能夠以高均勻度涂覆高深寬比的溝槽。
• 無堵塞的霧化噴涂。
• 能夠以高均勻度沉積薄的單微米層。
• 經過驗證的可重復噴涂工藝。

應用：

           用于具有不同形貌的MEMS晶片和其他基板。