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實驗室用低壓化學氣相沉積設(shè)備是通過加熱使氣態(tài)化合物在低壓下反應并沉積在基板表面，形成穩(wěn)定的固體薄膜。由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴散系數(shù)大，可以采用密集加載，提高生產(chǎn)率，在基板表面獲得均勻性好的薄膜沉積層。LPCVD用于沉積多晶硅、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅和難熔金屬硅化物。廣泛應用于半導體集成電路、電力電子、光電、MEMS等行業(yè)。
1、溫度控制采用串級控制方式，實時控制實際基板溫度。
2、裝載采用碳化硅懸臂槳，避免與工藝管道摩擦產(chǎn)生粉塵。
3、反應氣分子供氣和群發(fā)供氣，避免氣相反應產(chǎn)生粉塵，提高均勻性。
4、工作壓力閉環(huán)自動控制，提高工藝穩(wěn)定性和重復性。
實驗室用低壓化學氣相沉積設(shè)備采用雙層外殼和風冷系統(tǒng)，使爐體表面溫度低于55℃，并在爐體底部安裝一對滑軌。爐體可手動滑動，以滿足特殊工藝快速升溫和降溫的要求。使用注意事項如下：
1、爐管內(nèi)氣壓不得高于0.02MPa
2、爐體溫度高于1000℃時，爐管不得處于真空狀態(tài)。爐管內(nèi)的氣壓應與大氣壓相等。常壓下進入爐管的氣體流量應小于200sccm，以免冷空氣流對加熱的石英管產(chǎn)生影響
3、石英管長期使用溫度小于1100℃
4、實驗室用低壓化學氣相沉積設(shè)備對于樣品加熱實驗，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進水閥。如果需要關(guān)閉氣閥來加熱樣品，請隨時注意壓力表的指示。如果氣壓指示大于0.02MPa，必須立即打開放空閥，以防發(fā)生意外（如爐管破裂、法蘭飛揚等）。
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