施耐德交流接觸器常采用雙斷口電動滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動、靜觸頭在分、合過程中產生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動機構、底座及接線柱等輔助部件。

交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合，實現觸頭的接通和分斷的。交流接觸器有兩種工作狀態: 失電狀態(釋放狀態) 和得電狀態(動作狀態)。當吸引線圈通電后，使靜鐵芯產生電磁吸力，銜鐵被吸合，與銜鐵相連的連桿帶動觸頭動作，使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態;當吸引線圈斷電時，電磁吸力消失，銜鐵在復開，使常開觸頭閉合，位彈簧作用下釋放，所有觸頭隨之復位，接觸器處于失電狀態。

施耐德接觸器如下：

LC1-D09M5C

LC1-D12M5C

LC1-D18M5C

LC1-D25M5C

LC1-D32M5C

LC1-D40M5C

LC1-D50M5C

LC1-D80M5C

LC1-D95M5C

LC1-D115M5C

LC1-D150M5C

LC1-D170M5C

LC1-D205M5C

LC1-D245M5C

PN結的單向導電性

摻雜之后的半導體能帶會有所改變。依照摻雜物的不同，本質半導體的能隙之間會出現不同的能階。施主原子會在靠近傳導帶的地方產生一個新的能階，而受主原子則是在靠近價帶的地方產生新的能階。假設摻雜硼原子進入硅，則因為硼的能階到硅的價帶之間僅有0.045電子伏特，遠小于硅本身的能隙1.12電子伏特，所以在室溫下就可以使摻雜到硅里的硼原子*解離化（ionize）。

摻雜物對于能帶結構的另一個重大影響是改變了費米能階的位置。在熱平衡的狀態下費米能階依然會保持定值，這個特性會引出很多其他有用的電特性。舉例來說，一個p-n接面（p-n junction）的能帶會彎折，起因是原本p型半導體和n型半導體的費米能階位置各不相同，但是形成p-n接面后其費米能階必須保持在同樣的高度，造成無論是p型或是n型半導體的傳導帶或價帶都會被彎曲以配合接面處的能帶差異。