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石墨鍍碳化硅涂層具有耐高溫、抗氧化、純度高、耐酸堿、耐有機試劑等特點，理化性能穩定。與高純石墨相比，高純石墨在400℃開始發生強烈氧化。即使溫度不高，長期使用也會因氧化而去除粉末，從而附著在工件和工作臺上或污染使用環境。因此，碳化硅包覆石墨基作為一種新型耗材，在MOVCD設備、粉末燒結等工藝中逐漸取代了高純石墨基。
石墨鍍碳化硅涂層設備在高溫條件下從特殊氣體中釋放出硅，使硅與碳直接結合，以特定形狀包裹石墨基體，形成SiC保護層。形成的SiC與石墨基體結合牢固，賦予石墨基體特殊的性能，從而使石墨基體表面致密、無孔、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化。
1、高溫抗氧化性：抗氧化性。當溫度達到1600℃時，抗氧化性仍然很好。
2、高純度：采用化學氣相沉積法在高溫氯化下制備。
3、耐侵蝕：硬度高，表面致密，顆粒細。
4、耐腐蝕：耐酸、堿、鹽和有機試劑。
石墨鍍碳化硅涂層設備主要應用于半導體行業的許多生產環節。近年來，受產業轉移、國內技術進步、政策支持、終端產業發展等因素影響，我國半導體產業呈現良好發展態勢，為碳化硅包覆石墨盤需求增長提供了有力支撐。可以預見，碳化硅涂層石墨盤及其相關產業未來的發展環境將長期向好。
1、MOCVD設備中用于GaN外延生長的石墨基底涂層。
2、用于單晶硅外延生長的石墨基底涂層，包括平面基底、圓形基底和三維基底。
3、用于單晶硅器件燒結爐的石墨底盤涂層。
4、石墨加熱器表面涂層（平面加熱器、圓形加熱器、圓柱形加熱器等）。
5、用于各種氧化物隧道窯燒結的石墨匣缽涂層。
6、用于粉末冶金連續燒結的石墨基涂層。
7、SiC涂層采用光學技術拋光，用于空間鏡。
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