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該光刻機(jī)可廣泛用于MEMS和光電子，例如LED生產(chǎn)。它經(jīng)過(guò)**設(shè)計(jì)，方便處理各種非標(biāo)準(zhǔn)基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族材料，包括砷化鎵和磷化銦。而且該設(shè)備可通過(guò)選配升級(jí)套件，實(shí)現(xiàn)紫外納米壓印光刻。它具有以下亮點(diǎn)：高分辨率掩模對(duì)準(zhǔn)光刻，特征尺寸優(yōu)于0.5微米、裝配SUSS的單視場(chǎng)顯微鏡或分視場(chǎng)顯微鏡，實(shí)現(xiàn)快速準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)、針對(duì)厚膠工藝進(jìn)行優(yōu)化的高分辨光學(xué)系統(tǒng)、可選配通用光學(xué)器件，在不同波長(zhǎng)間進(jìn)行快速切換等。
采用三柔性支點(diǎn)實(shí)現(xiàn)高精度自動(dòng)調(diào)平；真空接觸自動(dòng)曝光；樣片升降、調(diào)平、接觸、曝光、復(fù)位實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制；采用積木錯(cuò)位蠅眼透鏡實(shí)現(xiàn)高均勻照明；可連續(xù)設(shè)定分離間隙；采用雙目雙視場(chǎng)顯微鏡實(shí)現(xiàn)高對(duì)準(zhǔn)精度。整機(jī)具有性能可靠、操作方便、自動(dòng)化程度高等特點(diǎn)。
光刻機(jī)通過(guò)一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過(guò)畫(huà)著線路圖的掩模，經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，不同光刻機(jī)的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化學(xué)方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖（即芯片）。
一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經(jīng)過(guò)一次光刻的芯片可以繼續(xù)涂膠、曝光。越復(fù)雜的芯片，線路圖的層數(shù)越多，也需要更精密的曝光控制過(guò)程。
紫外光刻機(jī)工作原理
在加工芯片的過(guò)程中，光刻機(jī)通過(guò)一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過(guò)畫(huà)著線路圖的掩模，經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，然后使用化學(xué)方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖。
一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經(jīng)過(guò)一次光刻的芯片可以繼續(xù)涂膠、曝光。越復(fù)雜的芯片，線路圖的層數(shù)越多，也需要更精密的曝光控制過(guò)程。
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