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tecdia高壓單層陶瓷電容的使用示例分析
高速、大容量、低時延、超海量連接的5G已經開始應用，著眼于未來 5 到 10 年5G（Beyond 5G）和 6G 的技術開發也已經開始。，氮化鎵（GaN）正在成為高效帶寬、高功率頻率無線通信領域的主流半導體材料。GaN具有比SiC（碳化硅）更穩定的鍵合結構和更高的介電擊穿強度，作為半導體材料也備受關注。它還具有寬禁帶。此外，由于它的禁帶寬度寬可以在高壓下使用，有望進一步降低功耗，提高電子設備的效率。
耐高壓單層陶瓷電容器
在GaN半導體中，單層陶瓷電容也用于阻抗匹配，在漏極側高壓下使用，所以能承受高電壓的單層陶瓷電容是不可少的。除了偏置電壓之外，還疊加了放大的高頻電壓，因此要求單層陶瓷電容器具有高耐壓，并在額定電壓范圍內留有余量。
制造額定電壓200V的單層陶瓷電容。
Tecdia因應市場需求，制作了以下規格的高壓單層陶瓷電容器樣機。
Tecdia 的高壓單層陶瓷電容器具有五個特點。
1．介電擊穿電壓達到 500 V 或更高，是高壓應用的理想選擇
2．高可靠性
3．通過定制為矩形，可以對應狹長空間的封裝需求（L:W = 最大 8:1）
4．定制尺寸和電容值提供上佳解決方案
5．導電環氧樹脂附著保護熱敏外圍組件
從電介質基板的制造到批量生產，都能提供滿足客戶需求的產品。
在 Tecdia，我們生產 40 到 50,000 材介電基板，從粘合到內部燒制，可實現適用于高壓應用的高絕緣性能。我們從制造介電基板到產品批量生產，我們可以根據客戶需求定制尺寸和電容值。
實現半導體高效率
我們通過使用高壓單層陶瓷電容器優化阻抗實現了高效率，并且我們收到了與 MOS 電容器相比功率附加效率（PAE）有所提高的反饋。
高壓單層陶瓷電容器的應用示例包括用于無線電設備放大半導體的偏置電路和阻抗匹配。
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