一、A+B處理組：加入微生物菌劑對(duì)污染底泥pH、Eh、DO的影響

微電極所設(shè)置的參數(shù)是多少：

本次實(shí)驗(yàn)使用Easysensor微電極對(duì)A+B處理組中的沉積物（表面附著藻墊）進(jìn)行測(cè)試。電機(jī)設(shè)置參數(shù)：500 μm 步進(jìn)間隔、1s步進(jìn)時(shí)間、1s測(cè)定時(shí)間、55000μm測(cè)試距離、5000μm零點(diǎn)上偏移。以獲取沉積物剖面中Eh、pH及DO等數(shù)據(jù)的垂向變化規(guī)律。

實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/span>

為改善水體水質(zhì)、削減底泥污染物，以生物手段修復(fù)底泥，重塑良好底泥狀態(tài)，恢復(fù)底泥中豐富的生物相。

設(shè)置對(duì)照組目的：

1、模擬原位底泥情況

2、對(duì)比加菌劑前后污染物的削減量

3、設(shè)置不同投放方式，考察生物菌劑對(duì)污染物的影響

測(cè)DO、Eh、pH的目的：

DO(溶解氧)、Eh（氧化還原電位）和pH（氫離子濃度指數(shù)）是用來(lái)描述介質(zhì)環(huán)境條件的綜合性指標(biāo)，也是在水體水質(zhì)治理改善中是必要的一個(gè)指標(biāo)。

進(jìn)行相同投加方式實(shí)驗(yàn)

實(shí)驗(yàn)處理：

A+B微生物菌劑以1%的量投入，菌劑主要以厭氧菌為主。注：所測(cè)樣品的底泥都需要避光處理

注：所測(cè)樣品的底泥都需要避光處理

數(shù)據(jù)結(jié)果：

實(shí)驗(yàn)結(jié)論：

結(jié)論：微生物生長(zhǎng)代謝活動(dòng)導(dǎo)致氧化還原電位相較于空白實(shí)驗(yàn)有所降低，由于微生物為厭氧菌，不消耗環(huán)境中的氧氣，并且有少量藻類(lèi)的生長(zhǎng)使溶解氧有明顯提升。

進(jìn)行不同投加方式實(shí)驗(yàn)

本次實(shí)驗(yàn)使用Easysensor微電極對(duì)A組、B組、A+B處理組中的沉積物進(jìn)行測(cè)試。電機(jī)設(shè)置參數(shù)：500 μm 步進(jìn)間隔、1s步進(jìn)時(shí)間、1s測(cè)定時(shí)間、55000μm測(cè)試距離、5000μm零點(diǎn)上偏移。以獲取沉積物剖面Eh和DO等數(shù)據(jù)的垂向變化規(guī)律。

實(shí)驗(yàn)處理：

處理1：菌劑點(diǎn)狀注射

處理2：?jiǎn)为?dú)A攪拌1次

處理3：?jiǎn)为?dú)A攪拌2次

處理4：?jiǎn)为?dú)B處理

處理5：A+B處理

注：所測(cè)樣品的底泥都需要避光處理

實(shí)驗(yàn)結(jié)論：

處理1和5，點(diǎn)狀注射投入菌劑量少，處理效果較A+B處理差，溶解氧和氧化還原電位均低于A+B處理組；

處理2和3，攪拌2次處理會(huì)促進(jìn)底泥釋放污染物同時(shí)增強(qiáng)微生物活性，因此溶解氧和氧化還原電位均低于攪拌1次處理；

處理2和4，單獨(dú)A處理比單獨(dú)B處理溶解氧降低速度更慢，在底泥層中氧化還原電位更高，雖然單獨(dú)A比單獨(dú)B的處理效果更好，但當(dāng)A和B一起施用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生協(xié)同作用，使溶解氧和氧化還原電位數(shù)值大幅上升。