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透射電鏡氣體高溫原位系統(tǒng)運(yùn)用了什么技術(shù)？
透射電鏡氣體高溫原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)控制，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在氣體環(huán)境下隨溫度變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)演化、反應(yīng)動(dòng)力學(xué)、相變、元素價(jià)態(tài)、化學(xué)變化、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級(jí)結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。
透射電鏡氣體高溫原位系統(tǒng)運(yùn)用了多場(chǎng)耦合技術(shù)，可在氣相環(huán)境中實(shí)現(xiàn)光、電、熱、流體多場(chǎng)耦合。透射電鏡氣體高溫原位系統(tǒng)具有高的安全性：
1．采用納流控技術(shù)，通過(guò)壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制，實(shí)現(xiàn)納升級(jí)微量流體輸送，控制精度為5 nL/s，每次氣體推送過(guò)程中，原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的氣體量?jī)H有微升級(jí)別，有效保證電鏡安全。
2．采用高分子膜面接觸密封技術(shù)，相比于o圈密封，增大了密封接觸面積，有效減小滲漏風(fēng)險(xiǎn)。
3．采用超高溫鍍膜技術(shù)，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn)。
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