
目前III-V族化合物襯底費用普遍偏高,許多技術由此受到了其成本的限制。因此,能夠重復使用原始襯底是一種可行的解決方法,但現有的襯底再利用技術存在明顯缺陷。在這篇文章中,研究人員討論了一種通過分子束外延在常用(001)GaAs襯底上沉積水溶性NaCl薄膜的新方法。利用原位電子束和低溫成核層,在連續的NaCl層上生長單晶GaAs模板。模板層可以通過NaCl的溶解而從襯底上快速去除,Lift-off(剝離工藝)后的原始晶片rms表面粗糙度僅增加了0.2nm。


產品推薦
1. kSA BandiT實時襯底溫度測試儀 是一種非接觸、實時測量半導體襯底表面溫度的測試系統,采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化的原理,實時測量晶片/襯底的溫度。
文獻信息
免責聲明
- 凡本網注明“來源:化工儀器網”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網絡有限公司-化工儀器網合法擁有版權或有權使用的作品,未經本網授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經本網授權使用作品的,應在授權范圍內使用,并注明“來源:化工儀器網”。違反上述聲明者,本網將追究其相關法律責任。
- 本網轉載并注明自其他來源(非化工儀器網)的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責,不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網站或個人從本網轉載時,必須保留本網注明的作品第一來源,并自負版權等法律責任。
- 如涉及作品內容、版權等問題,請在作品發表之日起一周內與本網聯系,否則視為放棄相關權利。