布魯克（Bruker）公司的VERTEX和INVENIO系列研究級傅立葉變換紅外光譜系統(tǒng)，可以覆蓋從FIR到VIS/UV的寬光譜范圍，擁有最佳的步進(jìn)掃描技術(shù)和出色的性能，可選真空光學(xué)臺，是上述許多應(yīng)用的分析系統(tǒng)。

碳化硅（SiC）已成為工業(yè)電子領(lǐng)域最重要的寬禁帶半導(dǎo)體之一，由于其高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢，特別是對于功率半導(dǎo)體器件，碳化硅優(yōu)于硅，更受青睞。

成熟的商用碳化硅器件如碳化硅肖特基二極管和MOSFETs（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），這些器件已應(yīng)用于鐵路、工業(yè)逆變器、航空航天、可再生能源風(fēng)力渦輪機(jī)或光伏發(fā)電，以及電動或混合動力汽車等領(lǐng)域。企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)仍在致力于SiC相關(guān)的研究開發(fā)工作，如進(jìn)一步發(fā)展的“綠色”項目，用于太陽能汽車的移動太陽能收集系統(tǒng)等。

SiC與其他半導(dǎo)體材料的性能比較

在SiC材料的研究與開發(fā)中，傅立葉變換紅外光譜技術(shù)（FT-IR）是一種簡單而有效的研究其各種性能的工具。它可以用于測定摻雜濃度、外延層厚度或聲子光譜，對晶體結(jié)構(gòu)和質(zhì)量提供有價值的信息。基于傅立葉變換紅外的光致發(fā)光光譜技術(shù)（FT-PL）可以提供額外的信息，如能帶結(jié)構(gòu)和電荷載流子的細(xì)節(jié)。透射光譜技術(shù)可以研究半導(dǎo)體的帶隙、激子和其他電子特性。此外，碳化硅雜質(zhì)和缺陷分析也是材料開發(fā)和質(zhì)量控制的重要步驟。

VERTEX和INVENIO系列研究級傅立葉變換紅外光譜系統(tǒng)，可以覆蓋從FIR到VIS/UV的寬光譜范圍，擁有最佳的步進(jìn)掃描技術(shù)和出色的性能，可選真空光學(xué)臺，是上述許多應(yīng)用的分析系統(tǒng)。