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多孔氮化硅TEM載網以高純單晶硅為基底，超薄氮化硅（10~50nm）為支撐膜。這種設計不僅確保了載網的高強度和穩定性，還使其具有優異的電子束穿透性和成像質量。
多孔氮化硅TEM載網與傳統銅網相比，使用的超薄氮化硅膜不含碳元素，可有效避免積碳，尤其適合球差原子分辨表征。超薄氮化硅膜更耐酸耐高溫，適用于酸性條件下制備樣品，及1000攝氏度的高溫環境。具有耐電子束輻照，電子束穿透率高，成像背景均勻和噪音小等優點。可以在不同分析儀器間轉移分析，如TEM，AFM，XRD，EXAFS，Raman等。
在使用多孔氮化硅TEM載網時，需要確保樣品能夠牢固地吸附在載網上，以免在TEM測試過程中滑落或移動。這通常通過在載網上覆蓋一層支持膜（如碳膜）來實現。
多孔氮化硅TEM載網廣泛應用于各種納米材料的TEM測試中，包括但不限于金屬、半導體、陶瓷、高分子材料等。其優異的性能使得它成為TEM測試中常用的耗材之一。
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