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SENTECH 二維材料刻蝕工藝的基本流程

來源:北京瑞科中儀科技有限公司   2024年11月11日 18:33  
  SENTECH 二維材料刻蝕工藝是半導體制造和納米技術中的一個重要環節,它涉及到使用化學或物理方法去除材料表面的部分區域,以形成所需的圖案或結構。以下是二維材料刻蝕工藝的基本流程:
  
  1、準備階段:在開始刻蝕之前,需要準備好所需的材料和設備。這包括刻蝕機、掩膜版、化學試劑(如刻蝕液)、清洗設備等。同時,還需要對樣品進行預處理,如清洗、涂覆光刻膠等。
  
  2、涂覆光刻膠:將光刻膠均勻地涂覆在樣品表面。光刻膠是一種光敏性材料,它在紫外光照射下會發生化學反應,從而改變其溶解性。
  
  3、曝光:使用掩膜版覆蓋在涂有光刻膠的樣品上,然后用紫外光照射。掩膜版上的圖案會阻擋部分光線,使得光刻膠在未被遮擋的部分發生曝光反應。
  
  4、顯影:將曝光后的樣品放入顯影液中,未曝光的光刻膠會被溶解掉,而曝光的光刻膠則保留下來。這樣,掩膜版上的圖案就被轉移到了光刻膠上。
  

SENTECH 二維材料刻蝕

 

  5、刻蝕:將帶有圖案的光刻膠作為掩膜,對樣品進行刻蝕。刻蝕可以是化學刻蝕,也可以是物理刻蝕(如離子束刻蝕)。在刻蝕過程中,未被光刻膠保護的部分會被去除,而保留下來的部分則形成了所需的圖案或結構。
  
  6、去膠:刻蝕完成后,需要去除樣品表面的光刻膠。這一步驟通常使用去膠劑來完成。
  
  7、清洗與檢查:最后,對樣品進行清洗,去除殘留的化學物質和顆粒物。然后,使用顯微鏡或其他檢測設備對刻蝕結果進行檢查,確保圖案或結構的質量和精度符合要求。
  
  總之,以上就是SENTECH 二維材料刻蝕工藝的基本流程。需要注意的是,不同的材料和應用場景可能需要采用不同的刻蝕方法和參數,因此在實際操作中需要根據具體情況進行調整和優化。

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