半導(dǎo)體溫度設(shè)備行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)涉及多個(gè)方面,包括溫度測(cè)試、可靠性測(cè)試等,以下是一些常見(jiàn)的標(biāo)準(zhǔn):
JEDEC 標(biāo)準(zhǔn):由 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)制定,被廣泛接受。其中 JESD51 系列標(biāo)準(zhǔn)是關(guān)于半導(dǎo)體器件熱測(cè)量的重要標(biāo)準(zhǔn),具體如下:
JESD51-1:確定單個(gè)集成電路器件熱特性的試驗(yàn)方法。
JESD51-2:確定單個(gè)集成電路裝置在自然對(duì)流中的熱特性的試驗(yàn)方法。
JESD51-3:熱測(cè)試板設(shè)計(jì)具有低有效導(dǎo)熱系數(shù)的含鉛表面安裝包。
JESD51-6:確定強(qiáng)制對(duì)流中單個(gè)集成電路裝置熱特性的試驗(yàn)方法。
HTOL 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):HTOL(高溫工作壽命測(cè)試)是芯片可靠性測(cè)試的重要方法。相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)有 JESD22-A108,定義了 HTOL 測(cè)試的溫度、電壓及時(shí)間要求,適用于通用集成電路;車規(guī)級(jí)芯片需滿足 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),Grade0 對(duì)應(yīng) 150℃,Grade1 對(duì)應(yīng) 125℃,標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試時(shí)間為 1000 小時(shí);芯片遵循 MIL-STD-883 標(biāo)準(zhǔn),擴(kuò)展溫度范圍至 - 55℃-175℃,測(cè)試時(shí)間延長(zhǎng)至 2000 小時(shí)。
溫度循環(huán)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):依據(jù) JESD22-A104 標(biāo)準(zhǔn),可測(cè)試半導(dǎo)體在溫度變化下的性能。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定溫度范圍為 - 65℃-150℃,沖擊溫度有 - 40℃、-55℃、-65℃以及 65℃、85℃、125℃等,沖擊時(shí)間小于 3 分鐘,保持時(shí)間為 30 或 60 分鐘,總測(cè)試循環(huán)次數(shù)不少于 1000 次。
熱壓器 / 無(wú)偏壓 HAST 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):遵循 JESD22-A118 標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)指定了測(cè)試中的溫度范圍為 100℃-143℃,濕度范圍為 70% RH-100% RH,壓力范圍為 0.5kg-3.5kg,測(cè)試時(shí)間不少于 200 小時(shí),有些需求可能長(zhǎng)達(dá) 500 至 1000 小時(shí)。
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn):GB/T10589-1989 低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件、GB/T10586-1989 濕熱試驗(yàn)箱技術(shù)條件、GB/T10592-1989 高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件等,對(duì)半導(dǎo)體溫度設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)等方面做出了規(guī)定。
此外,IEC(國(guó)際電工委員會(huì))也發(fā)布了一系列相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),如 IEC 60747-14-5:2010 規(guī)定了 PN - 結(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體溫度傳感器相關(guān)要求,IEC 60749-5:2023 規(guī)定了半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候測(cè)試方法中穩(wěn)態(tài)溫度濕度偏置壽命測(cè)試要求等。